微机械构件和用于微机械构件的制造方法

    公开(公告)号:CN109843787B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201780064777.6

    申请日:2017-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种微机械构件,具有夹持装置(10),借助至少一个线圈支架(12)保持的并且包括由至少一种导电材料制成的印制导线(22)的至少一个线圈绕组(14),其中,所述至少一个线圈绕组(14)的至少一个第一部分区段(14a)锚固在配属的线圈支架(12)上,和能变换位置的部件(16),其中,所述至少一个线圈支架(12)和所述能变换位置的部件(16)相互连接并且通过至少一个弹簧元件(18)与所述夹持装置(10)连接,使得所述能变换位置的部件(16)相对于所述夹持装置(10)围绕至少一个旋转轴线(20)能变换位置,并且其中,所述至少一个线圈绕组(14)的所述至少一个第一部分区段(14a)锚固在配属的线圈支架(12)上,而同一所述线圈绕组(14)的至少一个第二部分区段(14b)作为悬置的部分区段(14b)跨越在配属的线圈支架(12)中构造的至少一个中间空隙(24)。

    用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件

    公开(公告)号:CN104843634B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201510079465.5

    申请日:2015-02-13

    Abstract: 本发明涉及一种用于通过以下方式结构化由两个半导体层与位于两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法:在两个半导体层中的第一半导体层的第一侧上构造第一蚀刻掩膜;实施从第一外侧出发的用于结构化第一半导体层的第一蚀刻步骤,在两个半导体层中的第二半导体层的第二侧上构造第二蚀刻掩膜;实施从第二外侧出发的用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤,其中,在实施第一蚀刻步骤之后并且在实施第二蚀刻步骤之前,在至少一个在第一蚀刻步骤中蚀刻的第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外,本发明涉及一种微机械部件。

    内插器衬底、MEMS设备以及相应的制造方法

    公开(公告)号:CN111629991B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN201880086088.X

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种内插器衬底、一种MEMS设备以及一种相应的制造方法。内插器衬底(1)配备有前侧(VS)和后侧(RS);从所述后侧(RS)出发的腔(K1a;K1b),该腔延伸直至第一深度(t1);贯通开口(V);和布置在所述腔(K1a;K1b)和所述贯通开口(V)之间的沉降区域(ST1;ST2),所述沉降区域从所述后侧(RS)出发相对于所述后侧(RS)沉降直至第二深度(t2);其中,所述第一深度(t1)大于所述第二深度(t2)。

    机械部件和用于机械部件的制造方法

    公开(公告)号:CN103787265B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310756891.9

    申请日:2013-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种机械部件,所述机械部件具有保持装置(50)、可调节部件(52)、第一传感器装置(64a)、第二传感器装置(64b),所述可调节部件借助至少一个第一弹簧(54a)和至少一个第二弹簧(54b)通过围绕轴线(56)可调节的方式连接,其中,所述旋转轴线(56)延伸穿过所述第一弹簧(54a)在所述保持装置(50)上的第一锚定区域(58a)和所述第二弹簧(54b)在所述保持装置(50)上的第二锚定区域(58b),所述第一传感器装置具有至少一个设置在所述第一弹簧(54a)上和/或中的第一电阻,所述第二传感器装置具有至少一个设置在所述第二弹簧(54b)上和/或中的第二电阻,其中,所述第一传感器装置(64a)包括第一惠斯登半电桥(65a)并且所述第二传感器装置(64b)包括第二惠斯登半电桥(65b),其中,所述第一惠斯登半电桥(65a)和所述第二惠斯登半电桥(65b)连接成惠斯登全电桥。本发明也涉及一种用于机械部件的制造方法。

Patent Agency Ranking