压阻微机械传感器器件以及相应的测量方法

    公开(公告)号:CN102792169B

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201180014220.4

    申请日:2011-01-19

    CPC classification number: G01P15/09 G01P15/0802 G01P15/12 G01P15/123

    Abstract: 本发明涉及一种压阻微机械传感器器件和相应的测量方法。该压阻微机械传感器器件具有:衬底(1);在衬底(1)上能偏转地悬挂的抗震质量(3);至少一个设置在衬底与抗震质量之间的压阻横梁(1a,1b;1a’,1b’),所述至少一个压阻横梁在抗震质量偏转时经历电阻变化;其中压阻横梁(1a,1b;1a’,1b’)具有侧面的和/或上侧的和/或下侧的印制导线(2a,2b;2a’,2b’),所述印制导线至少部分地覆盖压阻横梁并且一直延伸到衬底的区域中;以及测量装置(M1;M2;M1’;M1’’),该测量装置电连接到衬底和印制导线并且构成为用于测量通过电路路径上的电阻变化,所述电路路径从衬底通过压阻横梁并且从压阻横梁通过侧面的和/或上侧的和/或下侧的印制导线分布。

    具有可动栅极的微机械传感器和相应的制造方法

    公开(公告)号:CN103288036A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310056432.X

    申请日:2013-02-22

    CPC classification number: B81B3/0086 B81B3/0021 B81B2201/0292 B81C1/00698

    Abstract: 本发明提供了一种具有可动栅极的微机械传感器装置和相应的制造方法。具有可动栅极的微机械传感器装置具有:场效应晶体管,该场效应晶体管带有漏极区域(3)、源极区域(4)、具有第一掺杂类型的位于其间的沟道区域(7)和可动栅极(1),该可动栅极通过空隙(Z)与沟道区域(7)分离。漏极区域(3)、源极区域(4)和沟道区域(7)设置在衬底(2)中。至少在沟道区域(7)的纵向侧(S1,S2)上在衬底(2)中设置防护区域(8;8a,8b),其具有第二掺杂类型,该第二掺杂类型与第一掺杂类型相同并且具有比第一掺杂类型高的掺杂浓度。

    压阻微机械传感器器件以及相应的测量方法

    公开(公告)号:CN102792169A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201180014220.4

    申请日:2011-01-19

    CPC classification number: G01P15/09 G01P15/0802 G01P15/12 G01P15/123

    Abstract: 本发明涉及一种压阻微机械传感器器件和相应的测量方法。该压阻微机械传感器器件具有:衬底(1);在衬底(1)上能偏转地悬挂的抗震质量(3);至少一个设置在衬底与抗震质量之间的压阻横梁(1a,1b;1a’,1b’),所述至少一个压阻横梁在抗震质量偏转时经历电阻变化;其中压阻横梁(1a,1b;1a’,1b’)具有侧面的和/或上侧的和/或下侧的印制导线(2a,2b;2a’,2b’),所述印制导线至少部分地覆盖压阻横梁并且一直延伸到衬底的区域中;以及测量装置(M1;M2;M1’;M1’’),该测量装置电连接到衬底和印制导线并且构成为用于测量通过电路路径上的电阻变化,所述电路路径从衬底通过压阻横梁并且从压阻横梁通过侧面的和/或上侧的和/或下侧的印制导线分布。

    具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器

    公开(公告)号:CN105393096B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201480032219.8

    申请日:2014-05-27

    Inventor: A.费伊

    CPC classification number: G01J5/20 G01J1/42 H01L31/1136

    Abstract: 本发明涉及一种由场效应晶体管构成的红外传感器(100),具有半导体衬底(117),该衬底具有漏极接点(110)和源极接点,其中,所述漏极接点(110)通过通道区(105)与源极接点(115)分开。该传感器(100)还包括一个栅极单元(125),它关于通道区(105)可活动地构成并且设置在这个通道区上面,其中所述栅极单元(125)设计成,响应接收的电磁辐射(135)改变栅极单元的形状和/或栅极单元(125)的至少一部分(140)与通道区(105)的距离(d)。

    具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器

    公开(公告)号:CN105393096A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201480032219.8

    申请日:2014-05-27

    Inventor: A.费伊

    CPC classification number: G01J5/20 G01J1/42 H01L31/1136

    Abstract: 本发明涉及一种由场效应晶体管构成的红外传感器(100),具有半导体衬底(117),该衬底具有漏极接点(110)和源极接点,其中,所述漏极接点(110)通过通道区(105)与源极接点(115)分开。该传感器(100)还包括一个栅极单元(125),它关于通道区(105)可活动地构成并且设置在这个通道区上面,其中所述栅极单元(125)设计成,响应接收的电磁辐射(135)改变栅极单元的形状和/或栅极单元(125)的至少一部分(140)与通道区(105)的距离(d)。

Patent Agency Ranking