公开(公告)号：CN112233965B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202010672057.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金度宪 ,  崔基勋 ,  许瓒宁 ,  姜基文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种处理基板的方法。在一个实施例中，将超临界流体供应至腔室中的处理空间，从而处理所述处理空间中的基板。在排放所述处理空间的情况下，将所述超临界流体供应到所述处理空间。当排放所述处理空间时供应的所述超临界流体的温度，高于供应到所述处理空间用于处理所述基板的所述超临界流体的温度。

公开(公告)号：CN110896043B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910852522.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔基勋 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  崔海圆 ,  李在晟 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30

Abstract: 一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

公开(公告)号：CN110416121A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN109509699B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201811075544.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  姜基文 ,  崔基勋 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  李在晟 ,  林权泽 ,  金勇勲 ,  李相昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种无水基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。所述无水基板清洁组合物包括含氟刻蚀化合物、溶解所述刻蚀化合物的溶剂、以及作为含磷化合物的粘结剂。

公开(公告)号：CN111048401B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910962253.X

申请日：2019-10-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海园 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于清洁基板的组合物。根据一个实施方式，用于清洁基板的组合物包含有机溶剂，该有机溶剂针对聚苯乙烯胶乳的汉森溶解度参数为5以上至12以下。

公开(公告)号：CN112289702A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010698255.5

申请日：2020-07-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许瓒宁 ,  崔基勋 ,  姜基文 ,  金度宪 ,  李在晟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应到处理空间；以及控制器，其构造成控制流体供应单元，其中流体供应单元被构造成将超临界流体以第一密度或高于第一密度的第二密度选择性地供应至处理空间中。因此，当使用超临界流体干燥基板时，可以提高基板的干燥效率。

公开(公告)号：CN106409657B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610615161.0

申请日：2016-07-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 吴世勋 ,  崔基勋 ,  金袗圭

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开的是一种用于将流体供应到基板的喷嘴，所述喷嘴包括主体，所述主体具有液体排出管线和气体排出管线，液体流过所述液体排出管线，所述气体排出管线围绕所述液体排出管线，且气体流过所述气体排出管线，其中，所述主体包括多个液体排出孔以及气体排出孔，所述多个液体排出孔排出流过所述液体排出管线的液体，所述气体排出孔排出流过所述气体排出管线的气体。

公开(公告)号：CN101618520B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810176551.8

申请日：2008-11-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具教旭 ,  尹沧老 ,  赵重根 ,  崔基勋 ,  崔重奉 ,  孙德铉 ,  具世薰

IPC: B24B29/00 ,  B24B41/06 ,  B24B55/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供了一种基片支撑单元和使用该基片支撑单元的单一类型基片抛光装置。在抛光处理期间，利用真空吸力，基片的底部表面被吸附于基片支撑单元；在后清洁处理期间，基片由基片支撑单元支撑，置于基片支撑单元上部的空间中，以清洁基片的底部表面。因此，根据基片支撑单元和使用该基片支撑单元的基片抛光装置，在由单一类型基片支撑单元支撑基片的状态下，可以顺序执行用于抛光基片表面的处理和用于清洁基片的顶部和底部表面的后处理。

公开(公告)号：CN101618520A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810176551.8

申请日：2008-11-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具教旭 ,  尹沧老 ,  赵重根 ,  崔基勋 ,  崔重奉 ,  孙德铉 ,  具世薰

IPC: B24B29/00 ,  B24B41/06 ,  B24B55/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供了一种基片支撑单元和使用该基片支撑单元的单一类型基片抛光装置。在抛光处理期间，利用真空吸力，基片的底部表面被吸附于基片支撑单元；在后清洁处理期间，基片由基片支撑单元支撑，置于基片支撑单元上部的空间中，以清洁基片的底部表面。因此，根据基片支撑单元和使用该基片支撑单元的基片抛光装置，在由单一类型基片支撑单元支撑基片的状态下，可以顺序执行用于抛光基片表面的处理和用于清洁基片的顶部和底部表面的后处理。

公开(公告)号：CN110416121B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。