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公开(公告)号：CN112105295B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980031325.7
申请日：2019-03-25
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明使得可以在不减小可靠性的情况下实现用户便利性和测量准确性两者。根据本发明的生物电位测量电极在与生物体接触的至少一部分中包括：主要由预定的树脂材料、橡胶或弹性体组成的基材树脂层；以及包含在基材树脂层中的导电颗粒。导电颗粒均具有预定的基材颗粒和表面处理区域，在表面处理区域中，基材颗粒的表面的至少一部分被预定的材料涂覆或取代。
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公开(公告)号：CN102779949B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210135457.4
申请日：2012-05-03
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24612 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明公开了一种薄膜元件组装体，其包括具有可挠性的基材和设置在所述基材的第一表面上的多个薄膜元件，其中，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且其中，在所述基材的第一表面的第二区域、或者第二表面的第二区域、或者第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成有凸部。由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。
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公开(公告)号：CN102956823A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295805.4
申请日：2012-08-17
Applicant: 索尼公司
Inventor： 胜原真央
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及使用薄膜晶体管的电子单元，所述薄膜晶体管具有改良的性能及生产稳定性。所述薄膜晶体管包括：有机半导体部，所述有机半导体部包括第一表面及第二表面；邻近第一表面的源极电极部；以及邻近第二表面的漏极电极部。所述源极电极部及所述漏极电极部中的至少一者是包含有机半导体材料的高导电性电极部，所述有机半导体材料的导电性高于有机半导体部的材料的导电性。
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公开(公告)号：CN102376893A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110215052.7
申请日：2011-07-29
Applicant: 索尼公司
Inventor： 胜原真央
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供了半导体装置、显示装置和电子装置。该半导体装置包括：栅极电极，设置在基板上；栅极绝缘膜，覆盖所述栅极电极；有机半导体层，设置为在所述栅极电极的宽度内叠置在所述栅极电极上方，所述栅极绝缘膜插设在该有机半导体层和所述栅极电极之间；以及源极电极和漏极电极，在所述栅极电极在所述栅极电极的宽度方向上夹在该源极电极和该漏极电极之间的状态下，该源极电极和该漏极电极各自具有设置为在所述有机半导体层上彼此相对的端部。
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公开(公告)号：CN104137267A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010609.0
申请日：2013-04-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0003 , H01L51/052
Abstract: 本发明提供了一种电子器件，该电子器件包括电极结构(11，14)、绝缘层(12)和活性层(13)。所述活性层(13)是由有机半导体材料形成的，优选地是由PXX基化合物形成的。与所述活性层(13)接触的绝缘层(12B)是由环状环烯烃聚合物或环状环烯烃共聚物形成的。
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公开(公告)号：CN102903858A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210259438.2
申请日：2012-07-20
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3246
Abstract: 一种显示单元，在基板上包括：多个发光器件，其中分别地且顺序地层积第一电极、包括发光层的有机层、以及第二电极；以及黑色绝缘层，对于每个发光器件而分离所述有机层。
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公开(公告)号：CN102263202A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110127816.7
申请日：2011-05-17
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0009 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/30 , B23K2103/50 , H01L27/283 , H01L51/0055 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管和电子装置。所述制造方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；利用激光烧蚀方法在所述栅极绝缘层上形成的有机半导体图形；以及形成在所述有机半导体图形上的源极电极和漏极电极。本发明能够容易且稳定地制造出低电阻的顶接触型薄膜晶体管，能够实现薄膜晶体管的高性能化和易制造化。
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公开(公告)号：CN102224580A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146210.9
申请日：2009-11-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3274 , B82Y10/00 , H01L51/0011 , H01L51/0017 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/004 , H01L51/0046 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 提供了一种在不损坏有机半导体图案的情况下通过容易且适合于增大面积的工艺制造具有抑制了劣化的顶部接触结构的薄膜晶体管的方法。在基板(1)上形成有机半导体图案(7a)。在所述基板(1)上形成电极材料膜(13)以覆盖所述有机半导体图案(7a)。在所述电极材料膜(13)上形成抗蚀剂图案(15)。使用所述抗蚀剂图案(15)作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜(13)进行构图。通过该工艺，形成源极(13s)和漏极(13d)。
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公开(公告)号：CN102832345B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201210184596.6
申请日：2012-06-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 胜原真央
CPC classification number: H01L51/0562 , H01L51/0017
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法和电子装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层，由含有至少能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素的至少一种的含金属材料形成；彼此间隔开的源电极和漏电极；以及有机导电层，介于有机半导体层与源电极和漏电极之间的有机半导体层与源电极和漏电极的重叠区域中，并且有机导电层由不含有能与蚀刻气体反应的金属材料或半金属材料的至少一种的非含金属材料形成。
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