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公开(公告)号：CN107534050B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201680023181.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/42
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器，其至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层以及载流子阻挡层。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
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公开(公告)号：CN103811518A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310536129.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0046 , H01L27/307 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
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公开(公告)号：CN102804441A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014041.0
申请日：2011-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/42 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L51/0061 , C07C211/54 , C09K9/02 , H01L27/307 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电转换材料，且所述光电转换材料包括具有约1.5×105（cm-1）以上吸收系数且由下式（1）表示的有机材料。在式（1）中，R1至R20的每一个和X1至X8的每一个为氢原子和选自由下述组成的组的取代基中的一种：烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、杂芳环、杂环基团、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰胺基、氨基甲酰基、酰脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、氨基、卤素原子、氟代烃基、氰基、羟基、巯基、甲硅烷基、亚硝基、硝基、羧酸氰化物基团、异氰化物基团、硫氰酸酯基团、异硫氰酸酯基团、醛基、硫代醛基、酮基、硫代酮基和酰肼基。
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公开(公告)号：CN104508838B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201380041105.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/424 , H01L27/302 , H01L27/307 , H01L51/001 , H01L51/0053 , H01L51/4246 , Y02E10/549
Abstract: 提供了有机光电转换元件、成像装置及光学传感器，有机光电转换元件能够通过使用单个元件结构检测多个波长区域。包括光谱敏感度不同的至少两种有机半导体材料的有机光电转换部被设置在第一电极和第二电极之间并被用作光电转换元件。光电转换元件的波长敏感度特性根据施加在第一电极和第二电极之间的电压(偏置电压)而改变。光电转换元件被安装在成像装置或光学传感器上。
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公开(公告)号：CN103811517A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310528746.5
申请日：2013-10-30
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/0072 , H01L51/4273 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中，光电转换元件具备有机光电转换膜，夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极，以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层，电荷阻挡层具有包含用于调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层，以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN117202754A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311062325.8
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN117202752A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311059948.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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公开(公告)号：CN109952652B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201780070351.1
申请日：2017-11-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H10K39/32 , H10K85/60 , H10K101/30
Abstract: 提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
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