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公开(公告)号：CN107369695A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710333092.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种晶片封装体与其制造方法。晶片封装体包含感测晶片、运算晶片与环状围绕感测晶片与运算晶片的保护层。感测晶片具有第一导电垫、感测元件以及相对的第一表面及第二表面，且感测元件位于第一表面上。运算晶片具有第二导电垫及运算元件。保护层以层压的方式形成，且至少暴露该感测元件。晶片封装体还包含位于该感测晶片的第二表面下的导电层，导电层延伸接触第一导电垫与第二导电垫。本发明能降低漏电流，并提升可靠度测试时的保护效果。
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公开(公告)号：CN106531641A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610809562.X
申请日：2016-09-08
Applicant: 精材科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，且基底内包括一感测区；一盖板，位于第一表面上且覆盖感测区；一遮蔽层，覆盖盖板的一侧壁且朝第二表面延伸，遮蔽层具有邻近盖板的一内侧表面及远离盖板的一外侧表面，且外侧表面朝第二表面延伸的长度小于内侧表面朝第二表面延伸的长度而不小于盖板的侧壁的长度。本发明不仅可阻隔来自盖板的横向侧面的光线，进而提高感测晶片封装体的感测精准度，还可避免水气自间隔层进入晶片封装体的内部，进而改善晶片封装体的可靠度及品质。
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公开(公告)号：CN103378217A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310139604.X
申请日：2013-04-19
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光感装置及其制法，该光感装置包括：一电路板、设于该电路板上的一封装件、覆盖该封装件且具有通孔的一支撑件、以及设于该通孔上的一镜片。该封装件具有设于该电路板上的一芯片及设于该芯片上的一透光片，该透光片具有显露于该通孔的一滤光层，且该滤光层的面积大于或等于该芯片作用面的面积，令该滤光层涵盖整个作用面，以令所有由该镜片进入的光线均会经该滤光层过滤才会进入该作用面的感光区，所以可有效避免未经过滤的光线经透光片的侧边干扰该感光区。
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公开(公告)号：CN106558525A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610827085.X
申请日：2016-09-18
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L24/09 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L21/6835
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一第一基底及一第二基底。第一基底内包括一感测区或元件区。第一基底接合于一第二基底上，且电性连接至第二基底。第二基底的厚度与第一基底的厚度的比值为2至8。本发明能够进一步缩小晶片封装体的尺寸。
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公开(公告)号：CN103187379B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210589731.5
申请日：2012-12-28
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/82 , B81B7/007 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/14 , H01L23/147 , H01L24/08 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24146 , H01L2224/80006 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L2224/82 , H01L2224/80 , H01L21/78
Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将一规格的晶圆进行切割以形成多个芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格的晶圆样式，以通过坝块堆栈于所需的基板上，再于芯片上进行线路重布层的制程，最后，进行切割以形成多个该半导体堆栈结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810362A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510035047.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/01 , H01L23/488 , H01L21/02 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L28/10 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03902 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05005 , H01L2224/05007 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05562 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13562 , H01L2224/13644 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 一种无源元件结构及其制作方法，该无源元件结构的制作方法包含下列步骤：提供具有多个焊垫的基板；于基板上形成保护层，且焊垫分别由保护层的多个保护层开口露出；于焊垫与保护层上形成导电层；于导电层上形成图案化的光阻层，且紧邻保护层开口的导电层由光阻层的多个光阻层开口露出；于光阻层开口中的导电层上分别电镀多个铜块；去除光阻层与未被铜块覆盖的导电层；于铜块与保护层上形成阻隔层，其中铜块的至少一个由阻隔层的阻隔层开口露出；以及于露出阻隔层开口的铜块上依序化学镀扩散阻障层与抗氧化层。本发明不仅可节省扩散阻障层与抗氧化层的材料花费，且能降低无源元件结构的线路总电阻值，使无源元件结构的电感品质系数得以提升。
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公开(公告)号：CN106531641B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610809562.X
申请日：2016-09-08
Applicant: 精材科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括：一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，且基底内包括一感测区；一盖板，位于第一表面上且覆盖感测区；一遮蔽层，覆盖盖板的一侧壁且朝第二表面延伸，遮蔽层具有邻近盖板的一内侧表面及远离盖板的一外侧表面，且外侧表面朝第二表面延伸的长度小于内侧表面朝第二表面延伸的长度而不小于盖板的侧壁的长度。本发明不仅可阻隔来自盖板的横向侧面的光线，进而提高感测晶片封装体的感测精准度，还可避免水气自间隔层进入晶片封装体的内部，进而改善晶片封装体的可靠度及品质。
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公开(公告)号：CN103378217B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310139604.X
申请日：2013-04-19
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光感装置及其制法，该光感装置包括：一电路板、设于该电路板上的一封装件、覆盖该封装件且具有通孔的一支撑件、以及设于该通孔上的一镜片。该封装件具有设于该电路板上的一芯片及设于该芯片上的一透光片，该透光片具有显露于该通孔的一滤光层，且该滤光层的面积大于或等于该芯片作用面的面积，令该滤光层涵盖整个作用面，以令所有由该镜片进入的光线均会经该滤光层过滤才会进入该作用面的感光区，所以可有效避免未经过滤的光线经透光片的侧边干扰该感光区。
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公开(公告)号：CN103187379A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210589731.5
申请日：2012-12-28
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/82 , B81B7/007 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/14 , H01L23/147 , H01L24/08 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24146 , H01L2224/80006 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L2224/82 , H01L2224/80 , H01L21/78
Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将一规格的晶圆进行切割以形成多个芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格的晶圆样式，以通过坝块堆栈于所需的基板上，再于芯片上进行线路重布层的制程，最后，进行切割以形成多个该半导体堆栈结构。
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公开(公告)号：CN107369695B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710333092.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种晶片封装体与其制造方法。晶片封装体包含感测晶片、运算晶片与环状围绕感测晶片与运算晶片的保护层。感测晶片具有第一导电垫、感测元件以及相对的第一表面及第二表面，且感测元件位于第一表面上。运算晶片具有第二导电垫及运算元件。保护层以层压的方式形成，且至少暴露该感测元件。晶片封装体还包含位于该感测晶片的第二表面下的导电层，导电层延伸接触第一导电垫与第二导电垫。本发明能降低漏电流，并提升可靠度测试时的保护效果。
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