公开(公告)号：CN1873963A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610077173.9

申请日：2006-04-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 一种半导体装置，具有：位于半导体元件上方的绝缘膜(10)、形成在绝缘膜(10)上的导电体焊盘(11)、和形成在导电体焊盘(11)上的第1开口图案(12)。这样，即使形成导电体焊盘(11)的导电体流动，导电体的流动性也会被第1开口图案(12)吸收。在导电体焊盘(11)为近似多角形的情况下，第1开口图案(12)优选形成在导电体焊盘(11)的各个角部的附近。在这种情况下，第1开口图案(12)也可以具有沿着形成角部的2个边而被配置的近似L字状的狭缝。从而，能够提供即使导电体从导电体焊盘的中央部向周边部流动，也能够抑制应力的产生的半导体装置。

公开(公告)号：CN1606156A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410084995.0

申请日：2004-10-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种备有在利用热压接等进行安装时、不会破坏有源面下部的半导体元件的凸起电极的半导体器件及其制造方法。当与衬底电极(5)接触的凸起电极(8)的面积比孔部(4)的底面的面积相对地大时，凸起电极(8)的下表面与聚酰亚胺层(3)的接触面积增大。其结果是，聚酰亚胺层(3)缓和安装时的冲击负荷的效果增大。此外，通过对于导通层(7)使用与凸起电极(8)相同或者具有比其具有更大柔软性的材料，能够缓和安装时的冲击负荷。从而，可以更有效地抑制凸起电极(8)的正下方的半导体元件等的破坏。

公开(公告)号：CN102445197A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110241308.1

申请日：2011-08-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 千叶诚一 ,  小岛修司 ,  远田寿幸 ,  进藤昭则 ,  花冈辉直 ,  山崎康男

IPC: G01C19/5642 ,  G01C19/5663

CPC classification number: G01P15/097 ,  B81B7/0006 ,  G01C19/5783 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种传感器装置、运动传感器、以及电子设备，其防止了由于在传感器元件的调频时所使用的激光而导致的应力缓和层的熔融，并具有稳定的电特性。传感器装置(1)的特征在于，具有：第1电极(11)，其被设置在硅基板(10)的有源面(10a)侧；外部连接端子(12)，其与第1电极电连接；应力缓和层(15)，其被设置在硅基板与外部连接端子之间；连接用端子(13)，其被设置在硅基板的有源面侧；振动陀螺元件(20)，其具有作为质量调节部的锤部(26a、26b、27a、27b、28a、28b)，其中，振动陀螺元件通过连接电极与外部连接端子之间的连接而被保持在硅基板上，所述传感器装置具有被形成在应力缓和层与质量调节部在俯视观察时相重合的部分之间的熔融保护层(42)。

公开(公告)号：CN1893077A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610098549.4

申请日：2006-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则 ,  田垣昌利 ,  栗田秀昭

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。

公开(公告)号：CN102571023B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201110305466.9

申请日：2011-09-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 花冈辉直 ,  进藤昭则 ,  山崎康男 ,  千叶诚一 ,  远田寿幸 ,  小岛修司

IPC: H03H9/02 ,  G01C19/5705 ,  H03H3/02

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G01C19/5769 ,  G01C19/5783

Abstract: 本发明涉及一种电子部件、电子设备、以及电子部件的制造方法。所述电子部件具有：半导体元件，其具有电路；振动元件；第1电极，其被配置于所述半导体元件的第1面上，并与所述电路和被配置在所述第1面侧的所述振动元件相连接；第2电极，其被配置于所述第1面上；第1布线基板，其具有与所述第2电极相连接的第1布线；第2布线基板，其具有与所述第1布线相连接的第2布线，并且，在朝向所述第1面俯视观察时，所述第2电极以与所述振动元件的外轮廓线的内侧区域的至少一部分重叠的方式被配置。

公开(公告)号：CN100502001C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610098549.4

申请日：2006-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则 ,  田垣昌利 ,  栗田秀昭

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有两个短边和两个长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述两个短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。

公开(公告)号：CN1893075A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610090383.1

申请日：2006-07-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则 ,  田垣昌利 ,  栗田秀昭

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。

公开(公告)号：CN102445197B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110241308.1

申请日：2011-08-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 千叶诚一 ,  小岛修司 ,  远田寿幸 ,  进藤昭则 ,  花冈辉直 ,  山崎康男

IPC: G01C19/5642 ,  G01C19/5663

CPC classification number: G01P15/097 ,  B81B7/0006 ,  G01C19/5783 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种传感器装置、运动传感器、以及电子设备，其防止了由于在传感器元件的调频时所使用的激光而导致的应力缓和层的熔融，并具有稳定的电特性。传感器装置(1)的特征在于，具有：第1电极(11)，其被设置在硅基板(10)的有源面(10a)侧；外部连接端子(12)，其与第1电极电连接；应力缓和层(15)，其被设置在硅基板与外部连接端子之间；连接用端子(13)，其被设置在硅基板的有源面侧；振动陀螺元件(20)，其具有作为质量调节部的锤部(26a、26b、27a、27b、28a、28b)，其中，振动陀螺元件通过连接电极与外部连接端子之间的连接而被保持在硅基板上，所述传感器装置具有被形成在应力缓和层与质量调节部在俯视观察时相重合的部分之间的熔融保护层(42)。

公开(公告)号：CN100590858C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610099517.6

申请日：2006-07-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供一种可在焊盘的下方设置半导体元件的高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括：半导体层(10)、设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(50，60，70，80，90)、设于所述层间绝缘层上面的缓冲层(72，82，92)、以及设于所述层间绝缘层上面的电极垫(94)，其中，所述缓冲层设置成在俯视时与至少一部分的所述电极垫的端部重叠。

公开(公告)号：CN100552972C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610087107.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 进藤昭则 ,  田垣昌利 ,  栗田秀昭

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。