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公开(公告)号：CN1893077A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610098549.4
申请日：2006-07-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/13012 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN103363967A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310094964.2
申请日：2013-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 栗田秀昭
IPC: G01C19/56
CPC classification number: H01L41/0533 , G01C19/5621
Abstract: 本发明提供一种振动装置，其抑制了由于温度等的变化而产生的热膨胀所造成的破损。所述振动装置的特征在于，具备：半导体元件；第一电极及第二电极，其位于半导体元件的第一面上；振动元件；第三电极及第四电极，其位于振动元件的第一面上；第一连接部，其连接第一电极和第三电极；第二连接部，其连接第二电极和第四电极，并且，半导体元件的热膨胀系数与振动元件的热膨胀系数不同，振动元件具有位于第三电极和第四电极之间的连结部，连结部具有位于第三电极和第四电极之间的至少一个弯曲。
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公开(公告)号：CN100499125C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610090383.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100502001C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610098549.4
申请日：2006-07-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/13012 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有两个短边和两个长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述两个短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN1893075A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090383.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN111721276A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010199833.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 栗田秀昭
IPC: G01C19/5783
Abstract: 本发明提供电子器件的制造方法、电子器件、电子设备以及移动体，降低基座与盖的缝焊时的焊接不均。电子器件的制造方法如下：在基座上搭载电子部件，将盖载置于基座，使辊电极与所述盖在接触位置接触，该接触位置在俯视时与在比盖的外缘靠内侧的位置处焊接基座和盖的区域重叠，通过缝焊将基座和盖接合。
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公开(公告)号：CN100552972C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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公开(公告)号：CN1885558A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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