公开(公告)号：CN107527821B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710303451.6

申请日：2017-05-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦 ,  渡边邦雄 ,  白泽立基 ,  作田孝

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。

公开(公告)号：CN107527821A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710303451.6

申请日：2017-05-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦 ,  渡边邦雄 ,  白泽立基 ,  作田孝

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/48463 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。