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    半导体集成电路、振荡器、电子设备及移动体
    1.
    发明授权
    半导体集成电路、振荡器、电子设备及移动体 有权

    公开(公告)号：CN105048987B

    公开(公告)日：2019-04-23

    申请号：CN201510164666.5

    申请日：2015-04-09

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 竹林祐一 ,  重盛三喜男 ,  大胁卓弥 ,  山中国人

    IPC: H03H9/25 ,  H03H9/19 ,  H03H9/215 ,  H03H9/15 ,  H03H9/24

    Abstract: 本发明提供半导体集成电路、振荡器、电子设备及移动体，即使将输出信号输入到多个电路，也能够降低跳动特性的劣化。振荡器包含半导体集成电路(10)、振动元件以及收纳所述半导体集成电路(10)和所述振动元件的封装，所述半导体集成电路(10)在1个半导体基板上集成有：振荡电路(12)，其使所述振动元件振荡而生成振荡信号；多个输出电路，它们输出基于该振荡信号的信号。半导体集成电路(10)彼此独立地控制多个输出电路中的第1输出电路(16)和第2输出电路(18)的动作。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置
    4.
    发明公开
    声表面波器件、电子设备以及传感器装置 无效

    公开(公告)号：CN104362999A

    公开(公告)日：2015-02-18

    申请号：CN201410594692.7

    申请日：2011-08-29

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 山中国人 ,  大脇卓弥 ,  小幡直久

    IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

    CPC classification number: H03H9/14594 ,  H03H9/02551 ,  H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置，其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时，抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化，从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有：IDT(3)，其在欧拉角为(－1.5°≤φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，ψ)的水晶基板(2)的主面上，对阻带上限模式的SAW进行激振；电极指间槽(8)，其凹设在IDT的电极指(6a，6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤│ψ│≤49.57°时，IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内，优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n，且n＝0、1、2、3时，电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

    表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置
    5.
    发明授权
    表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN102187574B

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：CN200980141667.0

    申请日：2009-10-22

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 山中国人

    IPC: H03H9/145 ,  H03B5/30 ,  H03H9/25

    CPC classification number: H03H9/02551 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/1071

    Abstract: 本发明能提高Q值并使表面声波谐振器小型化。一种表面声波谐振器(1)，该表面声波谐振器在石英基板(11)上设置有IDT(12)，该IDT(12)具有激励出表面声波的电极指，其中，将用一个电极指的宽度除以该电极指和与其两侧相邻的所述电极指的间隔的中心线与中心线之间的尺寸所得的值设为线占有率，IDT(12)包含如下区域，该区域形成为：使线占有率从中央部向两端部依次变化，由此与IDT(12)的中央部的频率相比，该区域的频率从中央部向两端部依次降低。

    表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备
    6.
    发明公开
    表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备 失效

    公开(公告)号：CN102334289A

    公开(公告)日：2012-01-25

    申请号：CN201080009209.4

    申请日：2010-02-26

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 山中国人

    IPC: H03H9/145 ,  H03B5/30 ,  H03H9/25

    CPC classification number: H03H9/25 ,  H03B5/326 ,  H03H9/02551 ,  H03H9/0296 ,  H03H9/02992 ,  H03H9/14538 ,  H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供能够实现良好的频率温度特性的表面声波谐振器。用于解决上述课题的SAW谐振器利用了欧拉角为(-1°≤φ≤1°，117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板(30)，具有激励出阻带上端模式的SAW的IDT(12)；以及使位于构成IDT(12)的电极指(18)之间的基板凹陷而形成的槽(32)，其中，在设SAW的波长为λ、槽(32)的深度为G时，满足0.01λ≤G，在设IDT(12)的线占有率为η时，槽(32)的深度G与所述线占有率η满足以下关系：-2.0000×G/λ+0.7200≤η≤-2.5000×G/λ+0.7775，其中0.0100λ≤G≤0.0500λ；以及-3.5898×G/λ+0.7995≤η≤-2.5000×G/λ+0.7775，其中0.0500λ＜G≤0.0695λ。

    表面声波谐振器以及表面声波振荡器
    7.
    发明授权
    表面声波谐振器以及表面声波振荡器 失效

    公开(公告)号：CN103124166B

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：CN201310005518.X

    申请日：2010-02-26

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 山中国人

    IPC: H03H9/02

    CPC classification number: H03H9/02551 ,  H03H9/0274

    Abstract: 本发明提供表面声波谐振器以及表面声波振荡器，能够实现良好的频率温度特性。表面声波谐振器的特征在于，该表面声波谐振器具有：欧拉角为，117°≤θ≤142°，41.9°≤|ψ|≤49.57°的石英基板；以及叉指换能器，其在上述石英基板上具有多个电极指，激励产生阻带上端模式的表面声波，俯视时，在上述电极指之间的上述基板上具有电极指间槽，上述表面声波的波长λ、上述电极指的电极膜厚H、以及上述电极指间槽的深度G满足以下关系：0.0407≤（G+H）/λ≤0.20。

    声表面波器件、电子设备及传感器装置
    8.
    发明授权
    声表面波器件、电子设备及传感器装置 失效

    公开(公告)号：CN102403978B

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：CN201110247975.0

    申请日：2011-08-26

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 山中国人

    IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

    CPC classification number: H03H9/02551 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/14594

    Abstract: 本发明提供一种声表面波(SAW)器件、电子设备以及传感器装置。该SAW器件能够在动作温度范围内同时实现优异的频率温度特性和较高Q值。SAW器件(11)具有：IDT(13)，其在欧拉角(-1.5°≤φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.57°)的水晶基板12的主面上，激振阻带上限模式的SAW；一对反射器(14)，其被配置在IDT(13)的两侧；电极指间槽(17)，其凹设在IDT的电极指(15a、15b)之间；导体条间槽(18)，其凹设在反射器的导体条(14a)之间。与电极指以及导体条正交的第1方向(X′轴)和水晶基板的电轴(X轴)以角度ψ交叉，并且IDT以及反射器的至少一部分被配置在，以1.0°≤α≤2.75°的角度α与第1方向交叉的第2方向上。

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