振荡器、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN106026917B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201610179380.9

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 本发明提供一种在要求较高频率精度的电子设备中也可利用的温度补偿型的振荡器、电子设备及移动体。振荡器(1)具有:振动元件(3);半导体装置,其具有使振动元件(3)进行振荡从而输出振荡信号的振荡电路(10)、对振荡信号的频率的温度特性进行补偿的温度补偿电路(40)以及配置有与所述振动元件电连接的端子的第一面,在俯视观察时,所述半导体装置与所述振动元件重叠,由温度补偿电路(40)补偿之后的振荡信号的频率偏差在-5℃以上且+85℃以下的温度范围内为-150ppb以上且+150ppb以下。

    振荡器、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN106026917A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610179380.9

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 本发明提供一种在要求较高频率精度的电子设备中也可利用的温度补偿型的振荡器、电子设备及移动体。振荡器(1)具有:振动元件(3);半导体装置,其具有使振动元件(3)进行振荡从而输出振荡信号的振荡电路(10)、对振荡信号的频率的温度特性进行补偿的温度补偿电路(40)以及配置有与所述振动元件电连接的端子的第一面,在俯视观察时,所述半导体装置与所述振动元件重叠,由温度补偿电路(40)补偿之后的振荡信号的频率偏差在-5℃以上且+85℃以下的温度范围内为-150ppb以上且+150ppb以下。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置

    公开(公告)号:CN104362999A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410594692.7

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: H03H9/14594 H03H9/02551 H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置,其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时,抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化,从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有:IDT(3),其在欧拉角为(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,ψ)的水晶基板(2)的主面上,对阻带上限模式的SAW进行激振;电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指(6a,6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤│ψ│≤49.57°时,IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内,优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n,且n=0、1、2、3时,电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

    振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN106027036A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610173083.3

    申请日:2016-03-24

    CPC classification number: H03L1/04 H03B5/36 H03L1/022 H03L1/028

    Abstract: 本发明提供一种能够与以往相比提高温度补偿型的振荡器的频率稳定性的振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体。振荡器(1)包括:振动元件(3);振荡电路(10),其使振动元件(3)进行振荡从而输出振荡信号;温度补偿电路(40),其在所需的温度范围内对振荡信号的频率的温度特性进行补偿,所述振荡器(1)的制造方法包括:第一温度补偿调节工序(S51、S52)其在多个温度下对频率进行测量,并根据温度与频率之间的关系而对第一温度补偿数据进行计算;第二温度补偿调节工序(S53、S54),其在第一温度补偿调节工序之后,在多个温度下对通过温度补偿电路(40)并根据第一温度补偿数据而被温度补偿之后的频率进行测量,并根据温度与频率之间的关系而对第二温度补偿数据进行计算。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403974B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201110261726.7

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: H03H9/14594 H03H9/02551 H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置,其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时,抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化,从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有:IDT(3),其在欧拉角为(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,ψ)的水晶基板(2)的主面上,对阻带上限模式的SAW进行激振;电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指(6a,6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤|ψ|≤49.57°时,IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内,优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n,且n=0、1、2、3时,电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

    声表面波器件、电子设备以及传感器装置

    公开(公告)号:CN102403974A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110261726.7

    申请日:2011-08-29

    CPC classification number: H03H9/14594 H03H9/02551 H03H9/0542

    Abstract: 一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置,其能够在维持工作温度范围内的SAW器件的优秀的频率温度特性的同时,抑制由于回流焊接安装时的高温、和使用时或环境的温度变化而导致的频率变化,从而使可靠性提高。SAW器件(1)具有:IDT(3),其在欧拉角为(-1.5°≤φ≤1.5°,117°≤θ≤142°,ψ)的水晶基板(2)的主面上,对阻带上限模式的SAW进行激振;电极指间槽(8),其凹设在IDT的电极指(6a,6b)之间。当欧拉角ψ为42.79°≤|ψ|≤49.57°时,IDT电极指膜厚H设定在0.055μm≤H≤0.335μm的范围内,优选设定在0.080μm≤H≤0.335μm的范围内。当欧拉角为|ψ|≠90°×n,且n=0、1、2、3时,电极指膜厚H设定在0.05μm≤H≤0.20μm范围内。

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