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公开(公告)号:CN105849187A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201580003215.1
申请日:2015-07-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C08L63/00 , C08G59/20 , C08G59/62 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: C08G59/20 , C08G59/62 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08L63/00 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件保护用材料,可以得到涂布性优异、散热性及柔软性优异的固化物且可以良好地保护半导体元件。本发明的半导体元件保护用材料为了保护半导体元件而用于涂布在所述半导体元件的表面上,并在所述半导体元件的表面上形成固化物,所述半导体元件保护用材料与下述物质不同,所述物质配置于半导体元件和其它连接对象部件之间,并形成粘接及固定所述半导体元件和所述其它连接对象部件从而使它们不会发生剥离的固化物,所述半导体元件保护用材料包含:挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、在23℃下为液态的固化剂、固化促进剂、和导热率为10W/m·K以上且为球状的无机填料。
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公开(公告)号:CN103168078B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201180050568.9
申请日:2011-09-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C08K5/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/0091 , C08K5/057 , C08K5/5419 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09K3/1018 , H01L23/296 , H01L33/501 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用密封剂,其在壳体内密封光半导体装置时,可以提高壳体与密封剂的密合性,且可以提高相对于湿度的粘接可靠性。所述光半导体装置用密封剂含有不具有与硅原子键合的氢原子且具有与硅原子键合的链烯基及与硅原子键合的芳基的第一有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基的第二有机聚硅氧烷、硅氢化反应用催化剂和具有钛原子的有机化合物。
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公开(公告)号:CN103168078A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201180050568.9
申请日:2011-09-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C08K5/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/0091 , C08K5/057 , C08K5/5419 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09K3/1018 , H01L23/296 , H01L33/501 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用密封剂,其在壳体内密封光半导体装置时,可以提高壳体与密封剂的密合性,且可以提高相对于湿度的粘接可靠性。所述光半导体装置用密封剂含有不具有与硅原子键合的氢原子且具有与硅原子键合的链烯基及与硅原子键合的芳基的第一有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基的第二有机聚硅氧烷、硅氢化反应用催化剂和具有钛原子的有机化合物。
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公开(公告)号:CN102639643B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180004570.2
申请日:2011-03-18
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/52 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种对于腐蚀性气体具有高阻气性,即使在苛刻的环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含:第1有机硅树脂,第2有机硅树脂,以及硅氢化反应用催化剂,所述第1有机硅树脂是第1有机硅树脂A和第1有机硅树脂B中的至少一种,所述第1有机硅树脂A由下述式(1A)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,所述第1有机硅树脂B由下述式(1B)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基;所述第2有机硅树脂是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种,所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子,所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子。
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公开(公告)号:CN106661192A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580033204.8
申请日:2015-12-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以得到涂布性优异、放热性、柔软性及耐湿性优异的固化物的固化性组合物。本发明的固化性组合物含有:挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、固化剂、球状氧化铝、和分散剂,所述分散剂的胺值为5KOHmg/g以上,且所述分散剂的酸值为5KOHmg/g以上。
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公开(公告)号:CN103547632A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201280024659.X
申请日:2012-07-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K5/56 , C08L83/04 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供一种固化物表面的发粘得以抑制、且固化物的耐热性及冷热循环特性得以提高的光半导体装置用密封剂。本发明的光半导体装置用密封剂包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂,所述第1有机聚硅氧烷由式(1A)或式(1B)表示、且具有烯基及与硅原子键合的甲基,所述第2有机聚硅氧烷由式(51A)或式(51B)表示、且具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基。第1、第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上。(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)(R51R52R535iO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1B)(R51R52R53SiO1/2)P(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B)。
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公开(公告)号:CN106661192B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201580033204.8
申请日:2015-12-03
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以得到涂布性优异、放热性、柔软性及耐湿性优异的固化物的固化性组合物。本发明的固化性组合物含有:挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、固化剂、球状氧化铝、和分散剂,所述分散剂的胺值为5KOHmg/g以上,且所述分散剂的酸值为5KOHmg/g以上。
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公开(公告)号:CN102639643A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201180004570.2
申请日:2011-03-18
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/52 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种对于腐蚀性气体具有高阻气性,即使在苛刻的环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含:第1有机硅树脂,第2有机硅树脂,以及硅氢化反应用催化剂,所述第1有机硅树脂是第1有机硅树脂A和第1有机硅树脂B中的至少一种,所述第1有机硅树脂A由下述式(1A)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基,所述第1有机硅树脂B由下述式(1B)表示,不含与硅原子键合的氢原子,并且具有芳基和烯基;所述第2有机硅树脂是第2有机硅树脂A和第2有机硅树脂B中的至少一种,所述第2有机硅树脂A由下述式(51A)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子,所述第2有机硅树脂B由下述式(51B)表示,并且具有芳基和与硅原子直接键合的氢原子。
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