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公开(公告)号：CN112735717A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011566067.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。
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公开(公告)号：CN117334427A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311434761.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体，包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb含量以及所有区域Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb跨区互扩散，在能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，提升钕铁硼磁体的抗退磁能力，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。
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公开(公告)号：CN112735717B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202011566067.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。
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公开(公告)号：CN111613404B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010486882.2
申请日：2020-06-01
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22F1/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：LR，LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；Gd，0～5mas％；Dy，0～3mas％；Tb，0～3mas％；且Gd、Dy和Tb不同时为0；C，0.12～0.45mas％；Cu，0.12～0.6mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.45mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；Dy和/或Tb，0.2～1mas％。该钕铁硼磁体材料晶界连续性好，具有高剩磁、高矫顽力、良好高温性能和良好的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN111540557B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010364115.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/00 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/32 , C22C33/02
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。一种钕铁硼磁体材料A的原料组合物，其包含R：29.5‑32.5wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2；R1包括Nd、Ho和Dy和/或Tb；R2包括Dy和/或Tb；Co：0～0.5wt％；B：0.9～1.05wt％；Cu：0～0.35wt％；Ga：0～0.35wt％；Al：0～0.5wt％；X：0.05～0.45wt％；X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；Fe：65‑70wt％；不含有Gd。本发明的钕铁硼磁体材料同时具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110853857B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201911190339.1
申请日：2019-11-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho和/或Gd：29～39wt％，B：0.8～1.2wt％，M：0～6wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种。使用含Ho和/或Gd的合金作为稀土永磁体中的一种主相合金，所制备的稀土永磁体具有低温度敏感性，拓宽了烧结钕铁硼永磁体的应用范围，剩磁温度系数绝对值低至0.0505％，矫顽力温度系数绝对值低至0.382％。
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公开(公告)号：CN111627635A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010641046.7
申请日：2020-07-06
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法。以重量百分比计，该材料包括下述组分：R：28.5wt％～33.57wt％；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素RH，所述的RH的含量为0.5wt％～12.0wt％；Al：≥0.01wt％；Cu：0.05wt％～1.0wt％；Co：0wt％～2.5wt％；Ga：0.05wt％～1.0wt％；Zr：0wt％～0.7wt％；B：0.88wt％～1.2wt％；所述的Cu和所述的Al的总含量≥0.65wt％。该材料耐高温性能好，受热后磁性能衰减较小。
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公开(公告)号：CN111613403A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010486392.2
申请日：2020-06-01
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/16 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/32 , C22C38/30 , C22C38/20 , C22C38/28 , C22C38/26 , C22C38/24 , C22C38/22 , C22C33/02
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：第一组分：LR，LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；C，0.12～0.45mas％；Cu，0.12～0.6mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.45mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；第一组分不包括除Ho外的其他重稀土元素；第二组分：Dy和/或Tb，0.2～1mas％。该钕铁硼磁体材料晶界连续性好，具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能，且具有良好的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN111223623A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010077815.5
申请日：2020-01-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大厚度钕铁硼磁钢及其制备方法。该制备方法包含以下步骤：S1.将钕铁硼压坯进行烧结，得到钕铁硼烧结体；其中，钕铁硼压坯为一分层结构，包括基体层和分隔层，基体层和分隔层之间设有石蜡层或聚乙二醇层；S2.将所述钕铁硼烧结体在惰性气体和H2条件下活化后，以重稀土元素为扩散源进行晶界扩散处理，即可。本发明方法能够制备得到剩磁Br高于14.8kGs，矫顽力Hcj高于20kOe，取向方向>20mm的大厚度磁钢，且重稀土添加量少，成本低。
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公开(公告)号：CN111210987A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010077816.X
申请日：2020-02-01
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B磁体材料及其制备方法和应用。该R-T-B磁体材料的制备方法包括以下步骤：将R-T-B磁体材料的烧结体，在气体氛围中经氢气活化处理，再进行晶界扩散即可；气体氛围包括惰性气体和氢气的混合气体；氢气活化处理的温度为100～300℃，时间在10min以上；氢气质量体积浓度与烧结体的质量体积浓度的比值为0.01～0.1％；氢气与惰性气体的体积比为0.1～5％。本发明的R-T-B磁体材料的耐高温抗退磁性能、矫顽力均较佳；在熔炼时可不加重稀土元素或大量的钴元素，成本较低；可不进行晶粒细化，生产难度小；可得取向方向的长在1mm以内的R-T-B磁体材料且磁性能较佳的磁体材料。
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