一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117334427A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311434761.3

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体,包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区;所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb含量以及所有区域Dy含量的配合,能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb跨区互扩散,在能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下,降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减,提升钕铁硼磁体的抗退磁能力,且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形,能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。

    一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、含其的电子装置

    公开(公告)号:CN116110672A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310341644.6

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、含其的电子装置。该钕铁硼磁体材料包括以下组分:R:28.0‑32.0wt%,R包括Nd,R还包括Tb和/或Dy,Nd含量≥27.0wt%;Cu:0.16‑0.40wt%;Ga:0.07‑0.24wt%;Al:≤0.10wt%;B:0.96‑1.10wt%;Co:0.15‑2.0wt%;M:0.10‑0.25wt%,M选自Ti、Zr和Nb中的至少一种;钕铁硼磁体材料的二颗粒晶界中包括一化学组成为RwFe100‑w‑x‑y‑zCoxCuyGaz的物相。本发明中的钕铁硼磁体材料,可在添加少量的重稀土铽元素的条件下实现矫顽力有显著的提升,同时维持较高的剩磁和方形度。

    一种稀土永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111326304B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202010132213.5

    申请日:2020-02-29

    Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料的原料组合物包括如下质量含量的组分:R:28.5~33.0%;Ga:0.5~1.8%但不为0.5wt%;B:0.84~0.94%;Al:0.05~0.07%;Co:≤2.5%但不为0;Fe:62~69%;N:Ti、Zr和Nb中的一种或多种;当N包含Ti时,Ti的含量为0.15~0.25%;当N包含Zr时,Zr的含量为0.2~0.35%;当N包含Nb时,Nb的含量为0.2~0.5%;百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的稀土永磁材料磁性能(剩磁、矫顽力、方形度、温度稳定性)较佳,且同一批次产品的磁性能均一。

    一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111243812A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010134700.5

    申请日:2020-02-29

    Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。该R-T-B系永磁材料的原料组合物包括如下质量含量的组分:R:28.5~33.0%;Ga:>0.5%;Cu:≥0.4%;B:0.84~0.94%;Al:0.05~0.07%;Co:≤2.5%但不为0;Fe:60~70%;N:Ti、Zr和Nb中的一种或多种;当N包含Ti时,所述Ti的含量为0.15~0.25%;当N包含Zr时,所述Zr的含量为0.2~0.35%;当N包含Nb时,所述Nb的含量为0.2~0.5%;百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的R-T-B系永磁材料磁性能较佳,且同一批次产品的磁性能均一。

    一种钕铁硼材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111243811A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010134686.9

    申请日:2020-02-29

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用。该钕铁硼材料的原料组合物包括如下质量含量的组分:R:28.5~33.0%;R为至少含有Nd的稀土元素;Cu:0.45~2%但不为0.45%;B:0.84~0.94%;Al:0.05~0.07%;Co:≤2.5%但不为0;Fe:62~70%;N:Ti、Zr和Nb中的一种或多种;当N包含Ti时,所述Ti的含量为0.15~0.25%;当N包含Zr时,所述Zr的含量为0.2~0.35%;当N包含Nb时,所述Nb的含量为0.2~0.5%;百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的钕铁硼材料磁性能较佳,且同一批次产品的磁性能均一。

    一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110853855A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911150985.5

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。该R-T-B系永磁材料,其包括下述组分:R’:29.5-33.0wt.%,所述R’包括R和Pr、Nd;其中:所述R为除Pr、Nd外的稀土元素,所述Pr的含量≥8.85wt.%,所述Nd和所述R’的质量比<0.5;N:>0.05wt.%、且≤4.1wt.%,所述N为Ti、Zr或Nb;B:0.90-1.2wt.%;Fe:62.0-68.0wt.%。本发明采用高Pr的含量的配方制得了矫顽力高、温度系数稳定的烧结永磁体产品,采用本申请的配方能够最大化的发挥出Pr的优势,有效地降低了生产成本。

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