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公开(公告)号：CN111739705A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010691594.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B磁体材料、R-T-B材料及其制备方法。该R-T-B磁体材料的制备方法包括将R-T-B磁体在稀释气体和氧气的混合气体中进行加热处理；R-T-B磁体包括重稀土元素；稀释气体为惰性气体和/或氮气；混合气体中氧气的摩尔浓度为50～10000ppm；加热处理的温度为250～750℃。本发明R-T-B磁体材料为在R-T-B磁体经加热处理之后在R-T-B磁体的表面形成的耐腐蚀层，显著提升了耐腐蚀性、而且不会降低R-T-B磁体本身的磁性能，还提升了方形度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112735717A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011566067.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。
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公开(公告)号：CN112768168A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011573278.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其双壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；双壳层的内层包含(Nd/Ho)2Fe14B和/或(Nd/Dy)2Fe14B；双壳层的外层包含(Nd/Dy)2Fe14B和/或(Nd/Tb)2Fe14B；双壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明使得钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升并有效增加扩散深度。
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公开(公告)号：CN112735717B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202011566067.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。
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公开(公告)号：CN115732152A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111000316.7
申请日：2021-08-27
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、钕铁硼磁体及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体的晶界扩散材料包括扩散基体和扩散源，所述扩散源为晶界扩散处理时添加的待扩散原料；所述扩散基体包括以下组分：LR：29～30wt.％，所述LR为轻稀土元素；Cu：0.15～0.5wt.％；B：0.99～1.05wt.％；Fe：67～70wt.％；wt.％为各组分质量与所述钕铁硼磁体总质量的百分比；所述扩散源包括Cu和Tb；所述钕铁硼磁体中Cu的质量与所述钕铁硼磁体总质量的百分比大于0.5wt.％。本发明中钕铁硼磁体的晶界扩散材料制得的钕铁硼磁体在添加相等含量重稀土的前提下，能够更显著的提高矫顽力且剩磁维持基本不变。
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