公开(公告)号：CN112735717A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011566067.3

申请日：2020-12-25

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  兰秋连 ,  李可

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。

公开(公告)号：CN112768168A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011573278.X

申请日：2020-12-25

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  兰秋连 ,  李可

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其双壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；双壳层的内层包含(Nd/Ho)2Fe14B和/或(Nd/Dy)2Fe14B；双壳层的外层包含(Nd/Dy)2Fe14B和/或(Nd/Tb)2Fe14B；双壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明使得钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升并有效增加扩散深度。

公开(公告)号：CN117334427A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311434761.3

申请日：2023-10-31

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 汤志辉 ,  李可 ,  许德钦 ,  付刚 ,  谢志兴 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  李志刚 ,  王金磊

IPC: H01F1/057 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体，包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb含量以及所有区域Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb跨区互扩散，在能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，提升钕铁硼磁体的抗退磁能力，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。

公开(公告)号：CN112735717B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202011566067.3

申请日：2020-12-25

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  兰秋连 ,  李可

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。

公开(公告)号：CN115732152A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202111000316.7

申请日：2021-08-27

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 龙严清 ,  兰秋连 ,  李可 ,  黄佳莹 ,  李莎

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  H02K1/02 ,  H02K15/03

Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、钕铁硼磁体及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体的晶界扩散材料包括扩散基体和扩散源，所述扩散源为晶界扩散处理时添加的待扩散原料；所述扩散基体包括以下组分：LR：29～30wt.％，所述LR为轻稀土元素；Cu：0.15～0.5wt.％；B：0.99～1.05wt.％；Fe：67～70wt.％；wt.％为各组分质量与所述钕铁硼磁体总质量的百分比；所述扩散源包括Cu和Tb；所述钕铁硼磁体中Cu的质量与所述钕铁硼磁体总质量的百分比大于0.5wt.％。本发明中钕铁硼磁体的晶界扩散材料制得的钕铁硼磁体在添加相等含量重稀土的前提下，能够更显著的提高矫顽力且剩磁维持基本不变。

公开(公告)号：CN112768168B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202011573278.X

申请日：2020-12-25

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  兰秋连 ,  李可

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02