公开(公告)号：CN115666149A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211580080.3

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  叶冰清 ,  黄桥灿 ,  沈梓鸿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明公开了一种基于CdSe/PbS/CdS核壳量子阱发光层的QWLED及其制备方法，由硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有一维核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN115666150A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211580088.X

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  叶冰清 ,  黄桥灿 ,  沈梓鸿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈耿旭 ,  李福山

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。