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公开(公告)号：CN105702700A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0541
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/ PDVT-8/ N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702700B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/PDVT‑8/N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
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公开(公告)号：CN109411605A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811259152.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/1159
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
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公开(公告)号：CN105552228A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0028
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
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公开(公告)号：CN105552228B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
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公开(公告)号：CN105514039A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610047534.9
申请日：2016-01-25
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , G06F17/50
CPC classification number: H01L21/822 , G06F17/5081 , G06F2217/64 , H01L27/04
Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法，该器件包括基底、有源层以及源漏电极；基底为一生长有一层SiO2氧化层的硅片，SiO2氧化层上方通过喷墨打印方式制备形成一半导体聚合物与绝缘体聚合物的混合物薄膜作为有源层；混合物薄膜上方通过热蒸发方式制作形成源漏电极。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作，并且有源层材料进行了特殊优化处理，即在薄膜成膜前添加高沸点共混溶剂到半导体聚合物与绝缘体聚合物混合溶液中，提高了半导体聚合物有序度和相的纯度来增大其空穴的迁移率，其工艺简单，操作快速准确，能得到较高性能的OTFT器件及其阵列；该器件具有电流开关比及空穴迁移率较高、制备工艺简单、成本低的优点。
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