-
公开(公告)号：CN105702700B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/PDVT‑8/N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
-
公开(公告)号：CN106299122A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610858443.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0537
Abstract: 本发明涉及一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法，提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器，其电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜；量子点材料为核壳结构，最高被占据分子轨道比壳材料的最高被占据分子轨道高，核材料的最低未被占据分子轨道比壳材料的最低未被占据分子轨道低，在核材料和壳材料之间形成量子阱，使得被捕获的电荷被限制在核材料中，提高电荷存储层的捕获电荷能力，进而增大该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的记忆窗，显著提高其保持特性。本发明所提出的方法简单，易操作，投入成本低，增强该存储器的存储性能。
-
公开(公告)号：CN106129247A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610768689.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。
-
公开(公告)号：CN105702700A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610072062.2
申请日：2016-02-02
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0541
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/ PDVT-8/ N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。
-
公开(公告)号：CN109686796A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910173950.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后，利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立，增反射膜层能有效回收利用反射激光能量，提高激光能量的使用效率，在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变，兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能，快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备，工艺简单、快速，而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能，其操作快速准确，高效率，高度可重复性，获得器件的尺寸较小，器件性能一致性好，有利于节约成本及大面积生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129247B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610768689.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法，提供一有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极；绝缘层通过采用溶液法，并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形成绝缘层膜后，将液态有机小分子单体溶液渗入该绝缘层中，并经过UV光处理，使所述小分子单体溶液中的小分子单体聚合固化嵌入绝缘层的网状结构中，进行对绝缘层表面改性。本发明提出的绝缘层表面改性的方法，其操作方法简单、方便、改性效果明显，能有效降低了有机薄膜晶体管的漏电流并提高了有机薄膜晶体管的迁移率。
-
公开(公告)号：CN105552228A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0028
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
-
公开(公告)号：CN108831930A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810653932.4
申请日：2018-06-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后，利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立，增反射膜层能有效回收利用反射激光能量，提高激光能量的使用效率，在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变，兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能，快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备，工艺简单、快速，而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能，其操作快速准确，高效率，高度可重复性，获得器件的尺寸较小，器件性能一致性好，有利于节约成本及大面积生产。
-
公开(公告)号：CN105552228B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610080077.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构，器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片，有机半导体聚合物薄膜，以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本发明制作的有机薄膜晶体管器件，其有源层在制备完成后，将硅片置于如图所示装置中进行溶剂蒸汽退火处理，同时，在该装置两侧的电极基板上施加一定大小的电场，通过电场增加有源层分子排列的有序性，从而提高该薄膜晶体管的迁移率和相关电学性能。本发明所述的溶剂蒸汽退火及加电场处理的方式，其方法简单，易操作，投入成本低，且得到的有机薄膜晶体管迁移率有较大提升。
-
公开(公告)号：CN107903712A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711142406.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: C09D11/38 , C09D11/36 , C09D11/30 , H01L29/786
CPC classification number: C09D11/38 , C09D11/30 , C09D11/36 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水的优化工艺，属于氧化物半导体技术和印刷电子技术领域，该工艺通过掺杂的方式改善薄膜性能，且掺杂比例可调，掺杂效果显著。该溶液以半导体氧化物前驱体及其对应溶剂作为基础溶液，通过加入第二溶剂及相应的有机聚合物制备成复合溶液完成墨水掺杂。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作，与基础溶液相比，该有源层在溶液中通过复合溶剂实现金属氧化物前驱体与有机聚合物的均匀共混，在成膜的过程中有机聚合物明显改善了溶剂挥发后图案的不均匀形貌，在后续的热处理工艺中，有机聚合物的掺杂影响了前驱体转变为金属氧化物的过程，通过促进了导电沟道的形成提高了其电子的迁移率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
