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公开(公告)号：CN114479157A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210076420.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种应变隔离的可拉伸衬底的实现方法，采用一弹性体聚合物薄膜，该薄膜通过采用溶液法，并利用旋涂工艺在基底上成膜后，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入该薄膜中，再经过激光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强该弹性薄膜局部区域的机械强度。应用本技术方案可有效保护其局部区域在拉伸状态下不产生形变，实现应变隔离的效果，各种类型的器件可以直接制备或转移至其刚度加强的区域，保证在衬底拉伸状态下，器件不被破坏。
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公开(公告)号：CN111180582A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN109411605A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811259152.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/1159
Abstract: 本发明涉及一种铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器自上而下由基底、铁电绝缘层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层和顶部漏极组成；其网状源极、有机半导体层和顶部漏极层层堆叠在其空间上形成垂直的器件结构，在该结构下晶体管的沟道长度为有机半导体层的厚度（纳米级），超短的沟道长度为器件带来超高的电流密度和快速的响应速度，并且器件的电流方向是从网状源极垂直穿过有机半导体层到达顶部漏极，垂直的电流传输能有效避免由于铁电绝缘层粗糙度较大引起的界面问题提高了铁电存储器的性能；本发明有效提高了器件的驱动能力和响应速度。其在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的铁电存储器件的应用提供了参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109755255A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910069115.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 福州大学
IPC: H01L27/1159 , H01L29/78 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及了一种金属氧化物存储器及其制备方法。该金属氧化物晶体管存储器采用顶栅垂直结构，器件自下而上依次是纯硅片基底、漏电极、金属氧化物半导体薄膜、网状源极和源极接触电极、绝缘层和顶部栅极。垂直结构金属氧化物存储器除电极外，其余各层均采用旋涂法制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物存储器，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的存储性能以及快速的存储速度，在非易失性存储、柔性存储器和智能机器人等方面有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111180582B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN110943168A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911284770.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法，其结构由下至上依次包括可拉伸复合共面栅衬底、褶皱形的有机半导体层以及离子凝胶绝缘层。所述可拉伸复合共面栅衬底是由聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜与设置于其上的图案化的共面电极构成。本发明可以有效的推动柔性可拉伸电子在生物可植入、人机交互界面和可穿戴等方面的发展。
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公开(公告)号：CN109830598A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910119736.3
申请日：2019-02-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习，自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置；摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线；人工突触晶体管装置的漏电极为输出端；源电极和栅极为信号输入端；源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连；信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压，该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流；本发明自带供电模块，能实现基本的逻辑运算功能，并且每个自供电输入栅极都具有数字滤波功能。
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公开(公告)号：CN109659436A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811558062.9
申请日：2018-12-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及了一种全透明异质结光晶体管及其制备方法。该全透明异质结光晶体管采用顶栅垂直结构，从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极，所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极。本发明提供的垂直结构异质结光晶体管可以实现紫外到可见光的宽光谱探测。该垂直结构异质结光晶体管具有超短的载流子传输沟道和大的激子分离界面，并借助金属氧化物半导体高的载流子迁移率，可以实现超高光电性能。该垂直结构的全透明异质结光晶体管有望广泛用于全光谱光探测器、光突触等领域。
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