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公开(公告)号：CN102616770B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210084629.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种水蒸气刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法。该方法将多壁碳纳米管放入聚四氟乙烯内衬中，并加入一定量的蒸馏水，振荡使碳纳米管分散均匀，然后将聚四氟乙烯内衬放入反应釜中，加热到150-225℃，恒温5h-20h，使多壁碳纳米管从纵向裂解开，形成高质量的石墨烯纳米带。采用本发明制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数可控、产率高等优点，同时制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程无污染，绿色环保。本发明克服了其他方法制备石墨烯的中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点。
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公开(公告)号：CN101792926A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN101792926B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN102583275A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068017.1
申请日：2012-03-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。
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公开(公告)号：CN101319394A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810071257.0
申请日：2008-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种非线性光学晶体钒酸镧钙及其制备方法和用途，该晶体的化学式为Ca9La(VO4)7，属三方晶系，R3cH空间群；采用提拉法生长单晶，生长气氛为惰性气体气氛。该钒酸镧钙晶体具有用于按照加工要求经定向、切割、粗磨、抛光、镀膜后得到各种光学器件的用途。本发明的制备方法科学合理，可操作性强，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，制备的晶体钒酸镧钙的尺寸大，光学均匀性好、物化性能优良、具有较大非线性光学系数且能适用于可见光和近红外光区域，可在各种非线性光学邻域获得广泛应用，具有显著的经济效益和社会效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101942695A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010512722.7
申请日：2010-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 一种导模提拉法生长纯及掺杂钇铁石榴石晶体的方法，是将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸纯及掺杂钇铁石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN102583275B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201210068017.1
申请日：2012-03-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。
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公开(公告)号：CN102616770A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210084629.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种水蒸气刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法。该方法将多壁碳纳米管放入聚四氟乙烯内衬中，并加入一定量的蒸馏水，振荡使碳纳米管分散均匀，然后将聚四氟乙烯内衬放入反应釜中，加热到150-225℃，恒温5h-20h，使多壁碳纳米管从纵向裂解开，形成高质量的石墨烯纳米带。采用本发明制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数可控、产率高等优点，同时制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程无污染，绿色环保。本发明克服了其他方法制备石墨烯的中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点。
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公开(公告)号：CN101319394B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810071257.0
申请日：2008-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种非线性光学晶体钒酸镧钙及其制备方法和用途，该晶体的化学式为Ca9La(VO4)7，属三方晶系，R3cH空间群；采用提拉法生长单晶，生长气氛为惰性气体气氛。该钒酸镧钙晶体具有用于按照加工要求经定向、切割、粗磨、抛光、镀膜后得到各种光学器件的用途。本发明的制备方法科学合理，可操作性强，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，制备的晶体钒酸镧钙的尺寸大，光学均匀性好、物化性能优良、具有较大非线性光学系数且能适用于可见光和近红外光区域，可在各种非线性光学邻域获得广泛应用，具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN101942694A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010512706.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 一种导模提拉法生长铁酸钇晶体的方法，是将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉获得铁酸钇单晶。本发明能够制备大尺寸铁酸钇单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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