公开(公告)号：CN113862786B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202111095669.X

申请日：2021-09-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈新 ,  郑安琪 ,  陈霞 ,  卢舒映 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  C09K11/82

Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN113862786A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111095669.X

申请日：2021-09-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈新 ,  郑安琪 ,  陈霞 ,  卢舒映 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  C09K11/82

Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。