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公开(公告)号：CN106299122A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610858443.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0537
Abstract: 本发明涉及一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法，提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器，其电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜；量子点材料为核壳结构，最高被占据分子轨道比壳材料的最高被占据分子轨道高，核材料的最低未被占据分子轨道比壳材料的最低未被占据分子轨道低，在核材料和壳材料之间形成量子阱，使得被捕获的电荷被限制在核材料中，提高电荷存储层的捕获电荷能力，进而增大该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的记忆窗，显著提高其保持特性。本发明所提出的方法简单，易操作，投入成本低，增强该存储器的存储性能。
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公开(公告)号：CN108987600A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810805520.8
申请日：2018-07-20
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点的垂直结构发光晶体管及其制备方法，所述基于量子点的垂直结构发光晶体管包括层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、网状源极、源极连接介质、有机半导体层、量子点层、电子传输层以及漏极；本发明将量子点发光器件的电致发光特性与垂直结构有机晶体管的开关特性结合起来，同时可通过调控栅压来减小量子点发光器件的操作电压，实现发光强度可任意调控的多功能器件。本发明提供的一种基于量子点的垂直结构发光晶体管的制备方法不仅仅制作方法简单，成本低，而且具有较大的应用价值，为未来提高集成度以及显示行业提供了很大的便利。
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公开(公告)号：CN109036487B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810806368.5
申请日：2018-07-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；本发明提供的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器的制备方法不仅仅提高了器件的驱动能力和响应速度，而且提高了器件的存储容量，在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的存储器件的应用提供了参考。
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公开(公告)号：CN109036487A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810806368.5
申请日：2018-07-20
Applicant: 福州大学
CPC classification number: G11C13/04 , G11C7/00 , G11C13/041
Abstract: 本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；本发明提供的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器的制备方法不仅仅提高了器件的驱动能力和响应速度，而且提高了器件的存储容量，在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的存储器件的应用提供了参考。
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