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公开(公告)号：CN116273052B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202310274916.5
申请日：2023-03-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以ABO3型混合金属氧化物钙钛矿为载体负载具有等离子共振效应过渡金属的催化剂的制备方法及其在光热催化甲烷干重整领域中的应用。该催化剂是通过在ABO3型钙钛矿上负载M金属离子M，制得的催化剂M@ABO3，其中，A为镧系金属元素、B为过渡金属元素、M为第VIII族具有等离子体共振效应的过渡金属。本发明催化剂可通过耦合热催化的高效率与光催化的低能耗，在光热协同下有效降低甲烷干重整反应的能垒，促进甲烷和二氧化碳的活化，进而实现高反应效率，且其合成方法简易，产率可观，并可有效抑制催化剂的高温失活，同时表现出较纯光催化或热催化更优的性能，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN116078429A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310117837.3
申请日：2023-02-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种促进CO2还原与1‑苯乙醇氧化偶联的新型光催化剂，其是采用溶剂热法，在CdS纳米片表面修饰二乙烯三胺，从而得到所述光催化剂CdS‑DETA。该新型催化剂能够利用表面氨基强化CO2的吸附与活化，并抑制光生载流子的复合，从而显著提高光催化CO2还原与1‑苯乙醇氧化偶联反应的效率，且其制备方法简单易行，光催化反应条件温和，产物选择性高，在碳基燃料和频哪醇绿色制备等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104882383B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104882541B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510281075.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105047819B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift‑off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104882541A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281075.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/0566 , H01L51/107
Abstract: 本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN116078429B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310117837.3
申请日：2023-02-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种促进CO2还原与1‑苯乙醇氧化偶联的新型光催化剂，其是采用溶剂热法，在CdS纳米片表面修饰二乙烯三胺，从而得到所述光催化剂CdS‑DETA。该新型催化剂能够利用表面氨基强化CO2的吸附与活化，并抑制光生载流子的复合，从而显著提高光催化CO2还原与1‑苯乙醇氧化偶联反应的效率，且其制备方法简单易行，光催化反应条件温和，产物选择性高，在碳基燃料和频哪醇绿色制备等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104882542B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510281381.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应，从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105047819A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0096 , H01L51/0512
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift-off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN116273052A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310274916.5
申请日：2023-03-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以ABO3型混合金属氧化物钙钛矿为载体负载具有等离子共振效应过渡金属的催化剂的制备方法及其在光热催化甲烷干重整领域中的应用。该催化剂是通过在ABO3型钙钛矿上负载M金属离子M，制得的催化剂M@ABO3，其中，A为镧系金属元素、B为过渡金属元素、M为第VIII族具有等离子体共振效应的过渡金属。本发明催化剂可通过耦合热催化的高效率与光催化的低能耗，在光热协同下有效降低甲烷干重整反应的能垒，促进甲烷和二氧化碳的活化，进而实现高反应效率，且其合成方法简易，产率可观，并可有效抑制催化剂的高温失活，同时表现出较纯光催化或热催化更优的性能，具有良好的工业应用前景。
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