公开(公告)号：CN105714373A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510940322.9

申请日：2015-12-16

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·拉明 ,  L·阿尔特曼绍夫尔 ,  G·拉特尼科斯 ,  M·默勒 ,  F·幕莫勒

IPC: C30B13/00 ,  C30B13/20

CPC classification number: C30B13/32 ,  C30B13/20 ,  C30B13/26 ,  C30B29/06

Abstract: 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。

公开(公告)号：CN107687021A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710628338.5

申请日：2017-07-28

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： F·幕莫勒 ,  H·茨维尔格尔迈尔 ,  J·贝格尔

IPC: C30B13/30 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B13/30 ,  C30B13/28 ,  C30B29/06

Abstract: 通过区域熔融制备单晶的方法，其包括：在晶种上结晶熔融材料，形成生长单晶；旋转所述生长单晶；在感应加热线圈的存在下，通过熔融固体材料而产生并保持位于所述生长单晶上的熔融区域；使用相机记录覆盖所述熔融区域部分的图像；通过评估所记录图像的图像部分来确定测量变量；和一旦所述测量变量超过相关设定的阈值，就产生警告信号和/或中止晶体生长。

公开(公告)号：CN103650108B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280032405.2

申请日：2012-05-23

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·施托克 ,  G·萨克塞 ,  U·罗特哈默尔 ,  S·B·塔帕 ,  H·施文克 ,  P·德赖尔 ,  F·幕莫勒 ,  R·迈尔胡贝尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及层状半导体基板，其包括‑单晶的第一层(1)，其含有至少80％的硅，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a1)，所述第一晶格常数(a1)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和‑单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a2)，所述第二晶格常数(a2)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和‑单晶的第三层(4)，其包含III族氮化物，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，其中所述第二晶格常数(a2)大于所述第一晶格常数(a1)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，并且其中所述层状半导体基板的弓形在‑50μm至50μm的范围内。本发明还涉及制造该层状半导体基板的方法。

公开(公告)号：CN103650108A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032405.2

申请日：2012-05-23

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·施托克 ,  G·萨克塞 ,  U·罗特哈默尔 ,  S·B·塔帕 ,  H·施文克 ,  P·德赖尔 ,  F·幕莫勒 ,  R·迈尔胡贝尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/24 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02587 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/78 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明涉及层状半导体基板，其包括-单晶的第一层(1)，其含有至少80％的硅，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a1)，所述第一晶格常数(a1)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和-单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a2)，所述第二晶格常数(a2)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和-单晶的第三层(4)，其包含III族氮化物，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，其中所述第二晶格常数(a2)大于所述第一晶格常数(a1)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，并且其中所述层状半导体基板的弓形在-50μm至50μm的范围内。本发明还涉及制造该层状半导体基板的方法。

公开(公告)号：CN107687021B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710628338.5

申请日：2017-07-28

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： F·幕莫勒 ,  H·茨维尔格尔迈尔 ,  J·贝格尔

IPC: C30B13/30 ,  C30B29/06

Abstract: 通过区域熔融制备单晶的方法，其包括：在晶种上结晶熔融材料，形成生长单晶；旋转所述生长单晶；在感应加热线圈的存在下，通过熔融固体材料而产生并保持位于所述生长单晶上的熔融区域；使用相机记录覆盖所述熔融区域部分的图像；通过评估所记录图像的图像部分来确定测量变量；和一旦所述测量变量超过相关设定的阈值，就产生警告信号和/或中止晶体生长。

公开(公告)号：CN105714373B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201510940322.9

申请日：2015-12-16

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·拉明 ,  L·阿尔特曼绍夫尔 ,  G·拉特尼科斯 ,  M·默勒 ,  F·幕莫勒

IPC: C30B13/00 ,  C30B13/20

CPC classification number: C30B13/32 ,  C30B13/20 ,  C30B13/26 ,  C30B29/06

Abstract: 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。