-
公开(公告)号：CN102174710A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110063018.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
-
公开(公告)号：CN115715338A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202180044656.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 半导体晶片及其生产方法。半导体晶片由单晶硅制成，单晶硅具有根据新ASTM的不低于5.0x1017原子/cm3且不高于6.5x1017原子/cm3的氧浓度；根据新ASTM的不低于1.0x1013原子/cm3且不高于1.0x1014原子/cm3的氮浓度；半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层；在对覆盖有外延层的晶片在780℃的温度下进行3小时的热处理并在600℃的温度下进行10小时的热处理之后，半导体晶片包含BMD，通过透射电子显微镜确定，BMD的平均尺寸不超过10nm，并且通过反应离子刻蚀确定，BMD在邻近外延层的区域中的平均密度不低于1.0x1011cm‑3。
-
公开(公告)号：CN102146581B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110027762.7
申请日：2011-01-20
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T428/21
Abstract: 由硅组成的半导体晶片的制造方法，其包括：从坩埚中所包含的熔体以一个拉伸速率拉伸具有直径增加的圆锥形区段及紧接着的直径至少为450mm且长度至少为800mm的圆柱形区段的单晶，在拉伸从圆锥形区段至圆柱形区段的过渡段时的拉伸速率比在拉伸圆柱形区段时的平均拉伸速率高至少1.8倍；以至少20kW的冷却功率冷却生长的单晶；从坩埚的侧壁向生长的单晶导入热量，其中在包围生长的单晶的挡热板与熔体表面之间存在高度至少为70mm的缝隙；及从圆柱形区段切割半导体晶片，其中多个半导体晶片包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的圆形区域。还涉及直径为450mm的由硅组成的半导体晶片，其包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的区域。
-
公开(公告)号：CN101302646B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810003542.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998789A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050755.9
申请日：2018-07-19
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片和制造p/p+外延涂覆的半导体晶片的方法。由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片包括p+掺杂的基体晶片；由单晶硅构成的p掺杂外延层，其覆盖基体晶片的上侧面；基体晶片的氧浓度不小于5.3×1017原子/cm3且不大于6.0×1017原子/cm3；基体晶片的电阻率不小于5mΩ·cm且不大于10mΩ·cm；基体晶片具有由于外延涂覆的半导体晶片的热处理而形成BMD的可能性，其中，BMD的密度具有特定特性。
-
公开(公告)号：CN117916410A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059751.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 一种用于生产硅单晶体的工艺，包括：在悬浮区装置中安装硅进料棒，进料棒具有不小于230mm且不大于270mm的直径，安装具有底部边缘和比进料棒的直径大不小于30mm且不大于50mm的量的内径的第一空心圆柱体，安装具有顶部边缘和比单晶体的目标直径大不小于20mm且不大于60mm的量的内径的第二空心圆柱体，提拉单晶体的具有不小于290mm且不大于310mm的目标直径的圆柱形部分，其中进料棒在熔化前沿处形成外部熔化边缘，并且单晶棒在生长侧形成结晶边缘，其中提拉速度不小于1.3mm/min且不大于1.5mm/min，优选地不小于1.35mm/min且不大于1.45mm/min，其中第一空心圆柱体的底部边缘距外部熔化边缘的竖直距离小于2mm，第二圆柱体的顶部边缘突出超过结晶边缘不小于1mm且不大于10mm的量。
-
公开(公告)号：CN110998789B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201880050755.9
申请日：2018-07-19
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片和制造p/p+外延涂覆的半导体晶片的方法。由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片包括p+掺杂的基体晶片；由单晶硅构成的p掺杂外延层，其覆盖基体晶片的上侧面；基体晶片的氧浓度不小于5.3×1017原子/cm3且不大于6.0×1017原子/cm3；基体晶片的电阻率不小于5mΩ·cm且不大于10mΩ·cm；基体晶片具有由于外延涂覆的半导体晶片的热处理而形成BMD的可能性，其中，BMD的密度具有特定特性。
-
公开(公告)号：CN110869542A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045980.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L21/322 , C30B25/20
Abstract: 由单晶硅制成的半导体晶片，其根据新ASTM的氧浓度不低于4.9×1017原子/cm3且不超过6.5×1017原子/cm3，根据新ASTM的氮浓度不低于8×1012原子/cm3且不超过5×1013原子/cm3，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中所述半导体晶片包含八面体形状的BMD，通过IR断层摄影术确定其平均尺寸为13至35nm，其平均密度不低于3×108cm-3且不超过4×109cm-3。
-
公开(公告)号：CN110062824A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076669.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及具有前侧、后侧、中部和周边的由单晶硅半导体晶片，并涉及所述半导体晶片的制备，所述半导体晶片包括：从所述中部延伸至所述周边的空穴占优势的中性区域；从所述前侧延伸进入所述半导体晶片的内部中至不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×1013个空穴/cm3；不小于4.5×1017个原子/cm3且不超过5.5×1017个原子/cm3的氧浓度；所述半导体晶片的所述内部中的区域，该区域与所述洁净区邻接并且具有可借助于热处理形成为具有不小于6.0×109/cm3的峰值密度的BMD的核，其中所述热处理包括在4小时的时段内将所述半导体晶片加热至800℃的温度，以及在16小时的时段内将其加热至1000℃的温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.021 seconds)
