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1.

发明公开
高速和低功率读出放大器审中-实审

公开(公告)号：CN105378841A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380075457.2

申请日：2013-03-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： X.Y.皮 , X.钱 , K.岳 , Y.周 , Y.朱

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C16/28 , G11C7/062 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C29/025 , G11C2029/1204 , G11C2029/5006

Abstract: 本发明公开了一种改进的读出电路，其利用未使用的存储器阵列中的位线提供参考值，以与另一存储器阵列中的所选单元进行比较。本发明还公开了一种可执行自检的电路，从而识别具有约为可接受阈值的泄漏电流的位线。

2.

发明公开
用于闪速存储器系统的低功率感测放大器有权

公开(公告)号：CN106935267A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511030454.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： X.钱 , X.Y.皮 , K.M.岳 , Q.饶 , L.卞

IPC: G11C16/28 , G11C16/24

Abstract: 本发明公开了在闪速存储器系统中使用的低功率感测放大器的多个实施例。在一些实施例中，可通过选择性地将一条或多条位线附接到所述感测放大器来调整所述感测放大器上的负载，其中所述一条或多条位线每条均耦接到外部存储器单元。

3.

发明授权
用于闪存存储器系统的改进的感测放大器有权

公开(公告)号：CN110610738B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 , X.Y.皮 , K.M.岳 , L.F.卞

IPC: G11C16/26 , G11C16/24 , G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。

4.

发明授权
用于闪速存储器系统的低功率感测放大器有权

公开(公告)号：CN106935267B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201511030454.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： X.钱 , X.Y.皮 , K.M.岳 , Q.饶 , L.卞

IPC: G11C16/28 , G11C16/24

Abstract: 本发明公开了在闪速存储器系统中使用的低功率感测放大器的多个实施例。在一些实施例中，可通过选择性地将一条或多条位线附接到所述感测放大器来调整所述感测放大器上的负载，其中所述一条或多条位线每条均耦接到外部存储器单元。

5.

发明授权
用于对分离栅式非易失性存储器单元编程的系统和方法有权

公开(公告)号：CN106158027B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201510166483.7

申请日：2015-04-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 , V.马科夫 , J-W.尤 , X.Y.皮 , A.科托夫

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器装置，以及一种采用与现有技术的方法相比减轻装置劣化的方式对所述装置编程的方法。

6.

发明公开
用于对分离栅式非易失性存储器单元编程的系统和方法有权

公开(公告)号：CN106158027A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510166483.7

申请日：2015-04-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 , V.马科夫 , J-W.尤 , X.Y.皮 , A.科托夫

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器装置，以及一种采用与现有技术的方法相比减轻装置劣化的方式对所述装置编程的方法。

7.

发明公开
用于闪存存储器系统的改进的感测放大器有权

公开(公告)号：CN110610738A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 , X.Y.皮 , K.M.岳 , L.F.卞

IPC: G11C16/26 , G11C16/24 , G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。

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