公开(公告)号：CN110610738B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  L.F.卞

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。

公开(公告)号：CN110610738A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  L.F.卞

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。