公开(公告)号：CN106158027B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201510166483.7

申请日：2015-04-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  V.马科夫 ,  J-W.尤 ,  X.Y.皮 ,  A.科托夫

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器装置，以及一种采用与现有技术的方法相比减轻装置劣化的方式对所述装置编程的方法。

公开(公告)号：CN103366804B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201210089957.9

申请日：2012-03-30

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 周耀 ,  钱晓州 ,  白宁

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C7/062 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/28 ,  G11C2207/063

Abstract: 公开了一种具有电流注入读出放大器的非易失性存储装置。本发明涉及一种用于存储装置中的设备，包括：电流注入器，具有多个注入输出；一个或多个参考单元，其中每个参考单元连接到所述多个注入输出中的不同的一个注入输出；选定存储单元，连接到与所述一个或多个参考单元所连接到的注入输出不同的所述多个注入输出之一；以及比较器，连接到所述多个注入输出，其中所述比较器包括指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个比较器输出。

公开(公告)号：CN106158027A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510166483.7

申请日：2015-04-09

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  V.马科夫 ,  J-W.尤 ,  X.Y.皮 ,  A.科托夫

IPC: G11C16/10

Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器装置，以及一种采用与现有技术的方法相比减轻装置劣化的方式对所述装置编程的方法。

公开(公告)号：CN103794252A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210419802.7

申请日：2012-10-29

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 周耀 ,  钱晓州 ,  林光明

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G05F3/262 ,  G11C5/147 ,  G11C7/062 ,  G11C7/12 ,  G11C16/28 ,  G11C2207/063

Abstract: 本发明涉及用于读出放大器的低电压电流参考产生器。公开了具有包括电流镜的读出放大器的非易失性存储设备，该电流镜包括一对电阻器。

公开(公告)号：CN105990367A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510089866.9

申请日：2015-02-27

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： J.金 ,  V.蒂瓦里 ,  N.杜 ,  X.刘 ,  钱晓州 ,  白宁 ,  余启文

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L23/57 ,  H01L27/11226 ,  H01L27/11233 ,  H01L27/11253 ,  H01L27/11519 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置，其包括多个ROM单元以及在所述多个ROM单元上面延伸的导电线，其中每一个ROM单元具有：形成在衬底中的间隔开的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区两者间设有沟道区；第一栅极，其设置在所述沟道区的第一部分上面并与之绝缘；第二栅极，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘。所述导电线电耦接到所述ROM单元的第一子组的所述漏极区，并且不电耦接到所述ROM单元的第二子组的所述漏极区。另选地，所述ROM单元的第一子组在所述沟道区中各自包括较高电压阈值的植入物区，而所述ROM单元的第二子组在所述沟道区中各自缺少任何较高电压阈值的植入物区。

公开(公告)号：CN105609131A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410447574.3

申请日：2014-07-22

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： J·金 ,  N·杜 ,  Y·特卡彻夫 ,  余启文 ,  钱晓州 ,  白宁

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

Abstract: 抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法。公开了一种在允许扇区的剩余部分被擦除的同时抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法。该抑制由控制逻辑控制，所述控制逻辑将一个或多个偏压施加至其擦除将被抑制的扇区的部分。

公开(公告)号：CN105336369B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201410429526.1

申请日：2014-07-22

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  周耀 ,  盛斌 ,  彭家旭 ,  朱瑶华

IPC: G11C16/24

Abstract: 用于高速闪存存储器系统的位线调节器。公开了一种用于在高速闪存存储器系统中使用的位线调节器。该位线调节器响应于一组微调位，该微调位通过比较位线的偏置电压和参考电压来生成。

公开(公告)号：CN103366791B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210089949.4

申请日：2012-03-30

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 周耀 ,  钱晓州

IPC: G11C7/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C7/08 ,  G11C7/062 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/2254

Abstract: 公开了一种用于存储装置中的可调整读出放大器。本发明涉及一种用于调整读出放大器的方法，包括：在读操作期间把第一读出放大器耦合到选定存储单元和参考电路；在第一读出放大器的调整操作期间使第一读出放大器与选定存储单元和参考电路分离；在第一读出放大器的调整操作期间把选定存储单元和参考电路耦合到第二读出放大器；其中所述调整操作包括确定施加于第一读出放大器以补偿晶体管失配的电流水平。

公开(公告)号：CN105337611A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410401923.8

申请日：2014-07-04

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 周耀 ,  曹羽欧 ,  钱晓州 ,  白宁 ,  许新颜

IPC: H03L7/083

CPC classification number: H03L7/0814 ,  H03K5/133 ,  H03K5/135 ,  H03L7/0816

Abstract: 本发明涉及数控延迟锁定环基准发生器。公开了一种用于数控延迟锁定环基准发生器的系统和方法。一种用于生成时序延迟信号的系统，包括：相位误差检测器，用于确定第一周期信号和第二周期信号之间的相位误差；计数器，用于接收来自相位误差检测器的一个或多个输出以及生成数字信号；控制器，用于接收所述数字信号并且生成用来驱动电流控制延迟环的信号，所述电流控制延迟环生成所述第二周期信号以及所述时序延迟信号。

公开(公告)号：CN103366804A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210089957.9

申请日：2012-03-30

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 周耀 ,  钱晓州 ,  白宁

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C7/062 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/28 ,  G11C2207/063

Abstract: 公开了一种具有电流注入读出放大器的非易失性存储装置。本发明涉及一种用于存储装置中的设备，包括：电流注入器，具有多个注入输出；一个或多个参考单元，其中每个参考单元连接到所述多个注入输出中的不同的一个注入输出；选定存储单元，连接到与所述一个或多个参考单元所连接到的注入输出不同的所述多个注入输出之一；以及比较器，连接到所述多个注入输出，其中所述比较器包括指示存储在选定存储单元中的值的一个或多个比较器输出。