公开(公告)号：CN106935267A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511030454.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： X.钱 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  Q.饶 ,  L.卞

IPC: G11C16/28 ,  G11C16/24

Abstract: 本发明公开了在闪速存储器系统中使用的低功率感测放大器的多个实施例。在一些实施例中，可通过选择性地将一条或多条位线附接到所述感测放大器来调整所述感测放大器上的负载，其中所述一条或多条位线每条均耦接到外部存储器单元。

公开(公告)号：CN110610738B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  L.F.卞

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。

公开(公告)号：CN110610942B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201810626274.X

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  K.M.岳 ,  罗光燕

IPC: H10B41/41 ,  G11C16/08

Abstract: 用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行和列的闪存存储器单元的阵列，其中每行被耦合到字线和控制栅极线。

公开(公告)号：CN106935267B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201511030454.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： X.钱 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  Q.饶 ,  L.卞

IPC: G11C16/28 ,  G11C16/24

Abstract: 本发明公开了在闪速存储器系统中使用的低功率感测放大器的多个实施例。在一些实施例中，可通过选择性地将一条或多条位线附接到所述感测放大器来调整所述感测放大器上的负载，其中所述一条或多条位线每条均耦接到外部存储器单元。

公开(公告)号：CN110610942A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810626274.X

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  K.M.岳 ,  罗光燕

IPC: H01L27/11529 ,  G11C16/08

Abstract: 用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行和列的闪存存储器单元的阵列，其中每行被耦合到字线和控制栅极线。

公开(公告)号：CN110610738A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810619270.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： 钱晓州 ,  X.Y.皮 ,  K.M.岳 ,  L.F.卞

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C7/06

Abstract: 用于闪存存储器系统的改进的感测放大器。本发明公开了在闪存存储器系统中使用的改进的低功率感测放大器。基准位线和选择的位线在有限周期期间被预充电并且消耗的功率有限。预充电电路可在配置过程期间进行修调，以进一步优化预充电操作期间的功率消耗。