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公开(公告)号：CN112185815B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910598339.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H10B41/30 , H01L29/423
Abstract: 本发明题为“形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，所述方法包括使用第一多晶硅沉积在半导体衬底上方形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物，以及移除所述第一多晶硅层中的一些以在所述绝缘间隔物下面留下第一多晶硅块。源极区形成在邻近所述第一多晶硅块的第一侧表面的所述衬底中。第二多晶硅层使用第二多晶硅沉积形成。部分地移除所述第二多晶硅层以在所述衬底上方留下第二多晶硅块并且与所述第一多晶硅块的第二侧表面相邻。第三多晶硅层使用第三多晶硅沉积形成。部分地移除所述第三多晶硅层以在所述源极区上方留下第三多晶硅块。漏极区形成在与所述第二多晶硅块相邻的所述衬底中。
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公开(公告)号：CN112185970A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910588914.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L27/11521 , H01L21/28
Abstract: 本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，包括在第一导电层上形成第二绝缘层，该第一导电层形成在第一绝缘层上，该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层的一部分的沟槽，该部分被蚀刻或氧化以具有凹形上表面。沿沟槽的侧壁形成两个绝缘间隔部，该两个绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面。源极区形成于基板中的绝缘间隔部之间。第二绝缘层以及第一导电层的一部分被去除以在绝缘间隔部下方形成浮栅。在浮栅的侧表面上形成第三绝缘层。沿外表面形成两个导电间隔部。在基板中相邻于导电间隔部形成漏极区。
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公开(公告)号：CN112185970B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910588914.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 硅存储技术公司
Abstract: 本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，包括在第一导电层上形成第二绝缘层，该第一导电层形成在第一绝缘层上，该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层的一部分的沟槽，该部分被蚀刻或氧化以具有凹形上表面。沿沟槽的侧壁形成两个绝缘间隔部，该两个绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面。源极区形成于基板中的绝缘间隔部之间。第二绝缘层以及第一导电层的一部分被去除以在绝缘间隔部下方形成浮栅。在浮栅的侧表面上形成第三绝缘层。沿外表面形成两个导电间隔部。在基板中相邻于导电间隔部形成漏极区。
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公开(公告)号：CN112185815A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910598339.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L27/11521 , H01L29/423
Abstract: 本发明题为“形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，所述方法包括使用第一多晶硅沉积在半导体衬底上方形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物，以及移除所述第一多晶硅层中的一些以在所述绝缘间隔物下面留下第一多晶硅块。源极区形成在邻近所述第一多晶硅块的第一侧表面的所述衬底中。第二多晶硅层使用第二多晶硅沉积形成。部分地移除所述第二多晶硅层以在所述衬底上方留下第二多晶硅块并且与所述第一多晶硅块的第二侧表面相邻。第三多晶硅层使用第三多晶硅沉积形成。部分地移除所述第三多晶硅层以在所述源极区上方留下第三多晶硅块。漏极区形成在与所述第二多晶硅块相邻的所述衬底中。
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