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公开(公告)号：CN106876456A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710110599.8
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/40 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗双栅SOI‑LIGBT器件结构，包括从下至上依次设置的P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层；P型阱区内部上方设有两个N型源端以及P型接触区；N‑buffer层内部上方设有N型阳极区；在N型漂移区的内部设有N型埋层、和/或P型埋层；本发明使器件结构的导通电阻得到降低；在关断过程中使得VA上升的速率在P型埋层未被耗尽之前更缓慢，在P型层耗尽完全时VA剧增；在耗尽区靠近P型埋层的边界时，给在漂移区储存的空穴提供了一个良好的泄放通道，导致储存的空穴载流子排除速度加快，拖尾时间降低；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN106847884A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110296.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0619 , H01L29/0623
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗的SOI‑LIGBT器件结构，包括从下至上依次设置的P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层；P型阱区内部上方设有N型源端以及P型接触区；N‑buffer层内部上方设有N型阳极区；在N型漂移区的内部设有N型埋层、和/或P型埋层；本发明使器件结构的导通电阻得到降低；在关断过程中使得VA上升的速率在P型埋层未被耗尽之前更缓慢，在P型层耗尽完全时VA剧增；在耗尽区靠近P型埋层的边界时，给在漂移区储存的空穴提供了一个良好的泄放通道，导致储存的空穴载流子排除速度加快，拖尾时间降低；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN106876455A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710110534.3
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/40 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、两个N型源端及之间的P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道两侧是栅氧层，栅氧层旁边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区两侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN106847885A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110370.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L29/42304 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、N型源端、P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道右侧是栅氧层，栅氧层右边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区右侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，在相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，同时槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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公开(公告)号：CN119335497A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411875187.X
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学 , 国能朔黄铁路发展有限责任公司检测救援分公司 , 广州市粤基工程机械有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于探地雷达的重载铁路道砟陷槽病害程度的判断方法，属于探地雷达数据处理技术领域，包括以下步骤：获取重载铁路的探地雷达数据并进行预处理；对预处理后的探地雷达数据进行分层处理；基于波场反向延拓原理，通过引入不同分层的数据矩阵对分层后的探地雷达数据进行偏移以及合并的处理，获得完整的病害偏移数据；基于完整的病害偏移数据，通过计算获取病害特征数据；构建判断重载铁路道砟陷槽病害程度的函数关系，基于所述函数关系以及所述病害特征数据，获得重载铁路道砟陷槽的病害程度。本发明提出的方法可以更加准确的判断重载铁路道砟陷槽病害的严重程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119335497B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411875187.X
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学 , 国能朔黄铁路发展有限责任公司检测救援分公司 , 广州市粤基工程机械有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于探地雷达的重载铁路道砟陷槽病害程度的判断方法，属于探地雷达数据处理技术领域，包括以下步骤：获取重载铁路的探地雷达数据并进行预处理；对预处理后的探地雷达数据进行分层处理；基于波场反向延拓原理，通过引入不同分层的数据矩阵对分层后的探地雷达数据进行偏移以及合并的处理，获得完整的病害偏移数据；基于完整的病害偏移数据，通过计算获取病害特征数据；构建判断重载铁路道砟陷槽病害程度的函数关系，基于所述函数关系以及所述病害特征数据，获得重载铁路道砟陷槽的病害程度。本发明提出的方法可以更加准确的判断重载铁路道砟陷槽病害的严重程度。
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公开(公告)号：CN106876473B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710272821.4
申请日：2017-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构，包括P型衬底、NWELL区、NP接触区、P型衬底表面的薄栅氧化层、多晶硅栅电极、P衬底表面注入的NP源极接触区、PP衬底、NTOP层，NTOP层左边缘与NP接触区右边缘的距离为D1，NTOP层右边缘与NWELL区右边缘的间距为D2，通过调整D1来调节器件的维持电流，通过调节D2来调节器件的触发电压，本发明提出LDMOS器件可以在工艺不改变的情况下通过NTOP层的位置来调节触发电压；NTOP层位置的改变一方面能够调整触发电压，另一方面可以提高维持电流从而避免闩锁效应；NTOP层的存在能够改变电流分布，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106449604B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201611051083.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子科学与技术领域，主要用于静电泄放防护技术，具体的说是涉及一种用于ESD防护的具有高维持电压的SCR率。本发明提出SCR器件用于低压5V工艺的ESD保护，利用附加的NPN晶体管对SCR结构内部的正反馈过程进行削弱，使SCR的电流正反馈有减弱的趋势，从而使得SCR维持电压上升，提高器件的抗闩锁能力，另外，即使芯片发生噪声干扰，噪声电压使SCR误开启，该结构依然能够保证信号的正常电位和正常传输。
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公开(公告)号：CN106449733A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611046815.9
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L29/0684
Abstract: 本发明属于电子科学与技术领域，主要用于静电泄放防护技术，具体的说是涉及一种用于ESD防护的无闩锁SCR。本发明提出SCR器件通过表面N+注入，降低了寄生PNP器件的电流放大系数，从而提高了器件的维持电压以防止闩锁效应的发生。另外，通过多个寄生PNP管对阳极电流的分流，优化了阳极的热分布，从而提高了器件的二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN118017185A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410292982.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 浙江宜通华盛科技有限公司
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种宽带矩形‑脊波导功分转换器，其包括设置在矩形波导上方的脊波导，脊波导的传输方向与矩形波导的宽边方向一致，脊波导的脊高方向与矩形波导的传输方向一致，矩形波导的上端与脊波导的单侧下底面连通，脊波导的脊与波导壁之间设置一个短路销钉。本发明利用调节单个短路销钉在脊波导壁与脊之间的短路位置，实现了功分器的阻抗匹配和功率分配，克服了现有技术结构复杂不易加工、工作带宽窄、频带内反射损耗高的难题。本发明的功分转换器结构简单，降低了制造成本，提高了功分转换器的结构稳定性，在频带内表现出更低的反射损耗。
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