公开(公告)号：CN102856399A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210351626.8

申请日：2012-09-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘爽 ,  曲鹏程 ,  魏广路 ,  陈逢彬 ,  何存玉 ,  熊流峰 ,  周晟 ,  刘飒 ,  钟智勇 ,  刘永

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/078

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种多吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池，属于太阳能利用技术领域，涉及非晶硅太阳能电池结构。本发明提供的吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池与现有的单结非晶硅太阳能电池相比具有相似的结构，但本发明中非晶硅光吸收层为复合多层结构、由多个光学带隙宽度依次减小的非晶硅光吸收子层沿纵向从上往下依次层叠而成。本发明能够进一步提高非晶硅太阳能电池的太阳能光谱利用率，提高太阳能转换效率，同时降低光至衰退效应，消除N-P反向结的影响。

公开(公告)号：CN103681935A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310424317.3

申请日：2013-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘爽 ,  曲鹏程 ,  陈逢彬 ,  何存玉 ,  熊流峰 ,  刘飒 ,  钟智勇 ,  刘永

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0376

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/076 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明公开了一种太阳能转换效率较高的非晶硅叠层太阳能电池。该非晶硅叠层太阳能电池，包括依次层叠设置的透明玻璃衬底、TCO透明导电膜、第一P型半导体层、第一非晶硅光吸收层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二非晶硅光吸收层、第二N型半导体层、金属电极，所述第一N型半导体层与第二P型半导体层之间设置有隧穿结，所述第一非晶硅光吸收层的厚度为600nm，所述第二非晶硅光吸收层的厚度为200nm～600nm，可以明显提高非晶硅叠层太阳能电池的转换效率，另外，隧穿结提供了缺陷能级，为两个子电池的载流子有利复合创造了条件，减少了载流子的不利复合，提高了叠层电池的转换效率，适合在太阳能利用技术领域推广应用。

公开(公告)号：CN102856420A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210351455.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘爽 ,  曲鹏程 ,  魏广路 ,  吴易龙 ,  何存玉 ,  张林 ,  熊流峰 ,  刘飒 ,  钟智勇 ,  刘永

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种多吸收层横向分布的非晶硅太阳能电池，属于太阳能利用技术领域，涉及非晶硅太阳能电池结构。本发明提供的吸收层横向分布的非晶硅太阳能电池为多个单结非晶硅太阳能子电池的并联结构，各个子电池的非晶硅光吸收层沿横向并排分布且光学带隙宽度依次增加或减少，同时采用分光谱系统将太阳光分为波长不同的多部分，分别投射到与该部分入射光波长相匹配的子电池上。本发明能够进一步提高非晶硅太阳能电池的太阳能光谱利用率，提高太阳能转换效率，同时降低光至衰退效应，消除N-P反向结的影响。