-
公开(公告)号：CN115491709A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210561579.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/075 , C25B3/07
Abstract: 本发明公开一种基于二维硼碳基材料高效还原二氧化碳的方法。本发明通过第一性原理计算对单层BC20催化还原CO2的两条潜在反应路径以及副反应进行研究，结果表明BC20电还原CO2的反应路径为“Formate”路线，最终产物是甲酸。相比于传统催化剂，二维硼碳基催化剂有着价格低廉、环境友好、组分可控等特点。较低的还原电位(0.73V)与较高的副反应自由能变化(+0.17eV)证明了其良好的催化活性与催化选择性，能高效还原CO2，对新型催化剂的研究有着重要的意义。
-
公开(公告)号：CN108355651B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810127062.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钌纳米金属电催化剂及制备方法，所述钌纳米金属电催化剂的制备方法包括以下步骤：制备钌酞菁类金属有机化合物；将所述钌酞菁类金属有机化合物与二维碳材料分散混合，得到电催化剂前驱体；将所述电催化剂前驱体在惰性气氛下高温热解，得到钌纳米金属粒子电催化剂。本发明制备电催化剂的方法简单，原料来源广泛，特别是钌的价格仅为铂的5％左右，可以大幅度降低催化剂的成本；本发明的电催化剂在酸碱性溶液中HER活性高，稳定性好，尤其是在碱性环境下优于商业化的Pt/C催化剂，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108220881B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810111752.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种控制金属纳米棒生长的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明基于金属纳米棒晶格动力学蒙特卡洛模型，通过先在衬底目标区域形成纳米级金属岛，然后结合倾斜式生长的气相物理沉积技术在特定生长参数下仿真模拟得到金属纳米棒直径与纳米级金属岛间距之间的线性关系；从而使得在实际采用倾斜式生长的物理气相沉积技术对预先沉积在衬底目标区域的纳米级金属岛进行外延生长时，不需要调整沉积粒子入射角、沉积温度、沉积速率等生长参数来控制金属纳米棒的最终生长形貌，只需根据已知线性关系调整预沉积纳米级金属岛间距就能获得目标直径大小的金属纳米棒阵列。
-
公开(公告)号：CN110046447A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910329452.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种形成石墨烯纳米带异质结的方法，属于碳纳米材料技术领域。本发明采用一维纳米孔对石墨烯纳米带进行调谐，基于第一性原理计算方法，对具有不同形状纳米孔调谐后石墨烯纳米带单元的电子特性和带阶匹配进行仿真，通过仿真得到形成第I类带阶匹配或第II类带阶匹配异质结的纳米孔指导实际石墨烯纳米带上纳米孔设计。本发明能够形成I型和II型的带阶匹配，并且操作简单可控。基于I型带阶匹配构造的石墨烯异质结，可用于制造分子整流器和分子转换器等电子器件；基于II型带阶匹配构造的石墨烯异质结是潜在的光电器件的构成元件。本发明提出的调制方式可满足石墨烯纳米器件的多种设计要求，适用于不同纳米器件的设计，为石墨烯电子和光电器件的设计奠定了基础。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230110A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310226767.5
申请日：2023-03-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G16C20/40 , C25B11/091 , C25B1/04 , G16C20/10 , G16C60/00
Abstract: 本发明属于电催化分解水制氢技术领域，具体涉及一种用于电催化氢还原反应的硼烯/MXene异质结构设计方法。其主旨在于解决六角蜂窝状硼烯/金属衬底异质结不可剥离的问题，无法应用到低维功能器件中。本发明通过第一性原理计算对稳定且可剥离的六角蜂窝状硼烯/Mxene二维异质结用于HER的催化活性进行研究，结果表明相对于MoS2等传统的单一二维材料催化剂以及Pt等贵金属催化剂，无贵金属的六角蜂窝状硼烯/过渡金属氮化物二维异质结催化剂具有成本低廉以及环境友好的特点。同时，较低的氢吸附自由能(‑0.33eV)也证明了其良好的HER催化活性。
-
公开(公告)号：CN110046447B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910329452.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种形成石墨烯纳米带异质结的方法，属于碳纳米材料技术领域。本发明采用一维纳米孔对石墨烯纳米带进行调谐，基于第一性原理计算方法，对具有不同形状纳米孔调谐后石墨烯纳米带单元的电子特性和带阶匹配进行仿真，通过仿真得到形成第I类带阶匹配或第II类带阶匹配异质结的纳米孔指导实际石墨烯纳米带上纳米孔设计。本发明能够形成I型和II型的带阶匹配，并且操作简单可控。基于I型带阶匹配构造的石墨烯异质结，可用于制造分子整流器和分子转换器等电子器件；基于II型带阶匹配构造的石墨烯异质结是潜在的光电器件的构成元件。本发明提出的调制方式可满足石墨烯纳米器件的多种设计要求，适用于不同纳米器件的设计，为石墨烯电子和光电器件的设计奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN114974439A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210561753.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于第一性原理计算设计精确硼掺杂石墨烯的方法。本发明采用自下而上的构建思路，利用特定的前驱体构建了一种新型二维硼掺杂石墨烯的理论模型。接着利用第一性原理计算分析了其在动力学上的稳定性，以及其电子结构性质。结果显示，声子谱未出现虚频，证明了结构的动力学稳定性。相比于传统异质原子掺杂石墨烯，本发明所述的新型硼掺石墨烯设计方法满足硼元素掺杂浓度与位点高度可控，且具有实验合成前景，能适用于不同纳米材料结构的设计，同时新型二维结构的半金属特性，预示了其在电极材料等领域的应用潜力，为石墨烯功能化提供了新的路径。
-
公开(公告)号：CN108355651A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810127062.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B01J35/0033 , B01J23/462 , B01J27/24 , B01J35/023
Abstract: 本发明公开了一种钌纳米金属电催化剂及制备方法，所述钌纳米金属电催化剂的制备方法包括以下步骤：制备钌酞菁类金属有机化合物；将所述钌酞菁类金属有机化合物与二维碳材料分散混合，得到电催化剂前驱体；将所述电催化剂前驱体在惰性气氛下高温热解，得到钌纳米金属粒子电催化剂。本发明制备电催化剂的方法简单，原料来源广泛，特别是钌的价格仅为铂的5％左右，可以大幅度降低催化剂的成本；本发明的电催化剂在酸碱性溶液中HER活性高，稳定性好，尤其是在碱性环境下优于商业化的Pt/C催化剂，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108220881A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810111752.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种控制金属纳米棒生长的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明基于金属纳米棒晶格动力学蒙特卡洛模型，通过先在衬底目标区域形成纳米级金属岛，然后结合倾斜式生长的气相物理沉积技术在特定生长参数下仿真模拟得到金属纳米棒直径与纳米级金属岛间距之间的线性关系；从而使得在实际采用倾斜式生长的物理气相沉积技术对预先沉积在衬底目标区域的纳米级金属岛进行外延生长时，不需要调整沉积粒子入射角、沉积温度、沉积速率等生长参数来控制金属纳米棒的最终生长形貌，只需根据已知线性关系调整预沉积纳米级金属岛间距就能获得目标直径大小的金属纳米棒阵列。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.017 seconds)
