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公开(公告)号：CN117995304A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410096787.X
申请日：2024-01-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电化学催化技术领域，提供了一种预测不同曲率管状铁氮碳CO2RR催化性能的方法，主旨在于预测不同曲率管对管状铁氮碳CO2RR催化性能的影响，主要方案包括通过建立半管铁氮碳结构模型代替整管结构模型对曲率进行初步筛选，探究此做法的可行性和优点；基于筛选出的不同曲率的铁氮碳，分析曲率对铁氮碳CO2RR催化性能的影响；基于Bader电荷分析曲率对铁氮碳体系电子性质的影响。在保证方法准确性的前提下，本发明节省计算资源，预测不同曲率对管状铁氮碳CO2RR催化性能的影响，探索曲率对铁氮碳催化剂催化活性和选择性的影响规律，可以用于指导后续的实验研究工作。
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公开(公告)号：CN112968121B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110206992.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N10/857 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN114955981A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210635237.1
申请日：2022-06-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种利用焦耳热调控石墨烯机械振子非线性的装置及方法，石墨烯机械振子包括硅衬底、凹槽、栅极、源漏接触电极、悬浮石墨烯，悬浮石墨烯包括两端平直段和中部悬浮段；悬浮石墨烯的中部悬浮段与硅衬底之间形成光学谐振腔；将驱动激光和探测激光照射到光学谐振腔；对栅极施加直流电压，产生电场，悬浮石墨烯在静电力吸引下产生形变，谐振频率被调制，产生非线性；对石墨烯机械振子的源漏接触电极通入直流电压，悬浮石墨烯内部随之产生一定功率的焦耳热，调节焦耳热功率的大小实现对石墨烯机械振子非线性的动态调控。本发明装置具有易于制备、便于调控、成本较低、制备周期短等优点，这种装置在高温等领域有着很重要的意义和研究价值。
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公开(公告)号：CN113078316A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110310504.3
申请日：2021-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/0525 , C01G39/00 , C01G45/12 , C01G53/00
Abstract: 本发明涉及一种钼酸锂包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用。所述钼酸锂包覆的富锂锰基正极材料的结构包括：富锂锰基层状氧化物内核和Li2MoO4包覆层，并且所述富锂锰基层状氧化物内核和Li2MoO4包覆层之间存在Mo6+浓度梯度过渡层；所述过渡层中，Mo6+浓度由包覆层一侧向内核一侧逐渐递减，所述过渡层的厚度为0.1‑10nm；所述Li2MoO4包覆富锂锰基层状氧化物正极材料的化学表达式为xLi[Li0.33Mn0.67]O2·(1‑x)LiMO2@Li2MoO4，0
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公开(公告)号：CN109913945B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910191834.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326735A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010097468.2
申请日：2020-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M4/04 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种氟化碳材料及其制备方法和应用，属于化学电源技术领域，具体步骤包括：将碳材料与氟源研磨，混合均匀后封管，接着放在管式炉中处理，随后降温处理，得到氟化碳材料。制备得到的氟化碳材料涂覆在铝箔表面作为钾电池正极材料，负极使用金属钾，组装成钾-氟化碳二次电池。在充放电过程中钾离子可逆嵌入与脱出在氟化碳中，从而保证了本发明在钾-氟化碳二次电池体系中的实际应用。本发明氟化碳材料在钾二次电池中的应用，制得循环性能稳定且良好的二次电池，且不需添加任何额外工艺，方法简单易行，工业可行性强，极具工业化应用价值和潜力。
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公开(公告)号：CN111276695A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010097260.0
申请日：2020-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M4/04 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种全固态锂氟化碳二次电池及其制备方法，属于电池技术领域，具体方法为在氟化碳上原位生长一层固态电解质膜，再与金属锂匹配组装成电池。本发明解决了锂氟化碳电池在液态体系下放电产物氟化锂成核不均且颗粒过大而导致的电池无法循环充放的问题。本发明制备的全固态体系下的锂氟化碳电池，放电时氟化锂成核均匀且颗粒小，碳维持无定形，使充电时氟化锂更易分解，电池能够实现二次可充放。
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公开(公告)号：CN110046447A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910329452.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种形成石墨烯纳米带异质结的方法，属于碳纳米材料技术领域。本发明采用一维纳米孔对石墨烯纳米带进行调谐，基于第一性原理计算方法，对具有不同形状纳米孔调谐后石墨烯纳米带单元的电子特性和带阶匹配进行仿真，通过仿真得到形成第I类带阶匹配或第II类带阶匹配异质结的纳米孔指导实际石墨烯纳米带上纳米孔设计。本发明能够形成I型和II型的带阶匹配，并且操作简单可控。基于I型带阶匹配构造的石墨烯异质结，可用于制造分子整流器和分子转换器等电子器件；基于II型带阶匹配构造的石墨烯异质结是潜在的光电器件的构成元件。本发明提出的调制方式可满足石墨烯纳米器件的多种设计要求，适用于不同纳米器件的设计，为石墨烯电子和光电器件的设计奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109913945A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910191834.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN105576111B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610054544.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铋层状化合物超晶格的制备方法，该方法通过对云母衬底进行常规化学清洗并在大气中进行解理后传入真空系统内加热去气；在清洁的云母表面依次生长由铋化合物薄层与垒层材料构成的超晶格薄膜。即首先在云母表面慢速沉积一层铋化合物作为晶格失配缓冲层，再以同样温度和速率生长一层垒层材料进一步提高表面质量，接下来保持生长温度不变提高生长速率交替生长铋化合物层和垒层，直到设定的超晶格周期数生长完成为止。本发明保证了产品超晶格中每层材料均以理想的二维层状模式生长，达到了铋层状化合物超晶格在云母衬底上较快生长并保持超晶格界面平整，获得的周期可调的超晶格薄膜的技术效果。
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