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公开(公告)号：CN108220881B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810111752.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种控制金属纳米棒生长的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明基于金属纳米棒晶格动力学蒙特卡洛模型，通过先在衬底目标区域形成纳米级金属岛，然后结合倾斜式生长的气相物理沉积技术在特定生长参数下仿真模拟得到金属纳米棒直径与纳米级金属岛间距之间的线性关系；从而使得在实际采用倾斜式生长的物理气相沉积技术对预先沉积在衬底目标区域的纳米级金属岛进行外延生长时，不需要调整沉积粒子入射角、沉积温度、沉积速率等生长参数来控制金属纳米棒的最终生长形貌，只需根据已知线性关系调整预沉积纳米级金属岛间距就能获得目标直径大小的金属纳米棒阵列。
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公开(公告)号：CN108220881A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810111752.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种控制金属纳米棒生长的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明基于金属纳米棒晶格动力学蒙特卡洛模型，通过先在衬底目标区域形成纳米级金属岛，然后结合倾斜式生长的气相物理沉积技术在特定生长参数下仿真模拟得到金属纳米棒直径与纳米级金属岛间距之间的线性关系；从而使得在实际采用倾斜式生长的物理气相沉积技术对预先沉积在衬底目标区域的纳米级金属岛进行外延生长时，不需要调整沉积粒子入射角、沉积温度、沉积速率等生长参数来控制金属纳米棒的最终生长形貌，只需根据已知线性关系调整预沉积纳米级金属岛间距就能获得目标直径大小的金属纳米棒阵列。
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