-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108355651B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810127062.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钌纳米金属电催化剂及制备方法，所述钌纳米金属电催化剂的制备方法包括以下步骤：制备钌酞菁类金属有机化合物；将所述钌酞菁类金属有机化合物与二维碳材料分散混合，得到电催化剂前驱体；将所述电催化剂前驱体在惰性气氛下高温热解，得到钌纳米金属粒子电催化剂。本发明制备电催化剂的方法简单，原料来源广泛，特别是钌的价格仅为铂的5％左右，可以大幅度降低催化剂的成本；本发明的电催化剂在酸碱性溶液中HER活性高，稳定性好，尤其是在碱性环境下优于商业化的Pt/C催化剂，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103400760A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310336220.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空；步骤3.加热石英管中心区；步骤4.从石英管的第二管口通入惰性载气，开始生长薄膜；步骤5.薄膜生长完成后，停止通入氩气及加热，待石英管温度冷却后，再通入保护气充满石英管后，取出样品。及一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的装置。本发明所述的在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置，采用物理气相输运沉积装置在常见的Si衬底上制备Bi2Se3单晶薄膜，操作简单、成本低廉，能制备出高质量的外延单晶薄膜。
-
公开(公告)号：CN108355651A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810127062.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: B01J35/0033 , B01J23/462 , B01J27/24 , B01J35/023
Abstract: 本发明公开了一种钌纳米金属电催化剂及制备方法，所述钌纳米金属电催化剂的制备方法包括以下步骤：制备钌酞菁类金属有机化合物；将所述钌酞菁类金属有机化合物与二维碳材料分散混合，得到电催化剂前驱体；将所述电催化剂前驱体在惰性气氛下高温热解，得到钌纳米金属粒子电催化剂。本发明制备电催化剂的方法简单，原料来源广泛，特别是钌的价格仅为铂的5％左右，可以大幅度降低催化剂的成本；本发明的电催化剂在酸碱性溶液中HER活性高，稳定性好，尤其是在碱性环境下优于商业化的Pt/C催化剂，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103390640B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310335909.8
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/28 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。
-
公开(公告)号：CN103390640A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310335909.8
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/28 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.024 seconds)
