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公开(公告)号：CN119421487A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411308343.4
申请日：2024-09-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN垂直互补场效应晶体管(VCFET)及反相器，VCFET包括衬底、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极，第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底上；第一晶体管为n型晶体管，第二晶体管为p型晶体管，形成GaN缓冲层、n管GaN沟道层、AlGaN势垒层、p管GaN沟道层和p管GaN掺杂层的整体结构形式；通过公共的栅电极实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。在此结构基础上，将p型晶体管的源电极接高电平，n型晶体管的源电极接低电平，将两个晶体管的漏电极连接在一起并同时作为输出端，以栅电极作为输入端，即可实现反相器。该VCFET实现了高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789511A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411658383.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，器件结构自下而上包括衬底、第一晶体管、石墨烯层和第二晶体管，第一源电极和第一漏电极沿水平方向布置在n管GaN沟道层的两端，第二源电极和第二漏电极沿水平方向布置在p管GaN沟道层的两端，在第一晶体管与第二晶体管之间的石墨烯层上布置可同时控制第一晶体管与第二晶体管的栅电极。在此结构基础上，将n型和p型晶体管的漏极用空气桥结构相连接并作为输出端，栅极作为输入端，p型晶体管的源极接高电平，n型晶体管的源极接低电平，实现反相器，其栅控能力强，漏电小，具有高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789472A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411647199.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种鳍式p型多沟道GaN晶体管结构及制备方法，其结构自下而上包括衬底；缓冲层，N个势垒层‑沟道层。各沟道层包括未掺杂区、掺杂区，各沟道层中临近沟道层与势垒层界面的地方，形成二维空穴气和空穴积聚区，作为GaN晶体管的多个导电沟道。对部分区域的所有势垒层和沟道层进行刻蚀，形成鳍型结构；设置介质层与栅电极包覆于鳍型结构的台面、侧边和凹槽底面，对导电沟道进行调控；设置漏电极和源电极于栅电极两侧，与导电沟道形成接触，本发明提出的器件，沟道层中未掺杂区和掺杂区的设计，有效提高了空穴的迁移率，同时抑制了寄生二维电子气的形成，多导电沟道提高了GaN晶体管的导通电流；鳍型结构增强了栅极对GaN晶体管的导电沟道的控制。
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公开(公告)号：CN118853151A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411004718.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi单离子及Bi/Sb、Bi/Ag双离子掺杂的Cs2NaInCl6钙钛矿材料及其制备方法，具体涉及钙钛矿材料技术领域，该材料由化学式Cs2Na(In1‑xMx)Cl6表示，其中M代表Bi、Sb或Bi与Ag的组合，x为掺杂浓度，表示M离子取代In离子的比例，x的取值范围为0
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公开(公告)号：CN116704202A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310746413.3
申请日：2023-06-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/40 , G06V10/82 , G06V10/25 , G06N5/025 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/098
Abstract: 本发明公开了一种基于知识嵌入的视觉关系检测方法，包括以下步骤：输入图像，分别检测目标初始类别预测特征、目标边界框的空间特征以及目标对联合区域的视觉特征；定义先验知识的类型，并针对每种先验类型构建对应的知识图；将目标初始类别预测特征构建为以节点和边表示的图形结构，并将知识图表示为图形结构对应的邻接矩阵；基于门控图神经网络GGNN的更新机制，得到相互关联的目标类别特征；根据目标边界框的空间特征、目标类别特征与目标对联合区域的视觉特征，得到上下文信息，通过softmax函数对每个目标对进行视觉关系检测，解决了在视觉关系检测时图像信息捕捉和理解不完全以及在复杂场景下的性能表现不高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115439849A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211211597.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态多策略GAN网络的仪表数字识别方法及系统，方法按如下步骤：步骤1：对收集的图像数据集进行处理，提取图像特征；步骤2：对图像的网络进行训练；步骤3：对图像进行实时识别；步骤4：当正确率小于设定值时，对GAN网络模型进行离线更新。本发明大幅提升了仪表数字识别模型对多样化仪表图片的适应程度，同时能提高仪表数字识别模型精度。
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公开(公告)号：CN114441585A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111408769.3
申请日：2021-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/00 , G01N21/84 , G01N23/2251 , G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种原位观察微焊点微观组织演化的方法。该方法包括：(1)微焊点制备：制备出不同钎料成分的单个微焊点；(2)使用环氧树脂将其镶嵌固封起来；(3)样品制备：沿微焊点纵截面方向先后进行粗磨、细磨、抛光、腐蚀和清洗；(4)使用光学显微镜或扫描电子显微镜对微焊点进行微观组织观察；(5)在油浴环境下对微焊点进行热时效或者电迁移，使微焊点微观组织发生演化；(6)重复步骤(3)至步骤(5)，记录微焊点微观组织的变化过程。本发明实验测试中均使用同一个焊点样品，兼具减少实验步骤、减少实验误差、提高实验可信度的优点，还可以更加直观连续地观察在通电(电迁移)或热时效(老化)等条件下焊点微观结构的演化。
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公开(公告)号：CN118747527A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410842554.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N5/022 , G06Q50/20 , G06N3/0442 , G06N3/042 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及知识追踪技术领域，提供一种基于知识概念关联和历史关注信息的知识追踪方法，包括：一、获取学生学习过程的交互信息，筛选出有效的交互信息；二、将交互信息划分成问题级别序列，概念级别序列两个部分；三、将不同序列输入模型的不同模块中进行训练；通过长短期记忆网络和图卷积神经网络得到学生的知识状态；在问题级别序列提取历史关注信息，通过多种注意力机制得到历史关注信息中学生的答题经验；四、将学生的知识状态和答题经验输入可解释性模块评估其知识水平，根据学生的知识水平预测学生未来的答题表现；五、记录训练模型评价指标，并采用交叉熵损失优化整个知识追踪网络。本发明充分关注知识概念间的复杂关系和历史关注信息，以不同角度评估学生的知识状态，提高了预测学生未来表现的准确。
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公开(公告)号：CN115267712B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210764033.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合高斯环境下基于AR模型的目标检测方法及装置，通过采用复合高斯模型建模杂波数据，采用AR模型对复合高斯模型中散斑分量进行建模，使得不同参考数据单元间具有时间相关性，从而得到具有时间相关的回波信号的表达式，经过后续处理建立为包含未知参数的目标检测模型，然后对未知参数进行估计；而这个过程相比于现有技术对协方差矩阵估计而需要大量的参考单元，本发明可以大大降低参考单元需求量，无论参考单元是否充足都可以保持较高的检测率，同时相较于传统不能适用于距离扩展目标，本发明对距离扩展目标适应性更高。
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公开(公告)号：CN116627037A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310406159.2
申请日：2023-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明提供一种基于时变增益扩张状态观测器的鲁棒非线性控制方法，属于四旋翼飞行器控制技术领域。本发明主要面向四旋翼飞行器的姿态系统，通过设计了一种时变增益扩张状态观测器来解决四旋翼飞行器姿态跟踪中的未知外界扰动、模型不确定性、角速度不可测以及传统线性扩张状态观测器中的“微分峰值”问题。此外，将提出的时变增益扩张状态观测器和反步滑模控制方法相结合从而形成一种新型鲁棒非线性控制方法，提高了四旋翼飞行器的跟踪姿态的速度和精度，体现了该控制方法的有效性和优越性。
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