公开(公告)号：CN118853151A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411004718.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李小碟 ,  唐娇 ,  皇甫学丰 ,  陈俊宇

IPC: C09K11/62 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi单离子及Bi/Sb、Bi/Ag双离子掺杂的Cs2NaInCl6钙钛矿材料及其制备方法，具体涉及钙钛矿材料技术领域，该材料由化学式Cs2Na(In1‑xMx)Cl6表示，其中M代表Bi、Sb或Bi与Ag的组合，x为掺杂浓度，表示M离子取代In离子的比例，x的取值范围为0

公开(公告)号：CN119479852A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411699617.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 莫佳龙 ,  杨冠科 ,  李小碟 ,  姚欣怡

IPC: G16C10/00 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明公开了碳基材料AB双层石墨烯的辐照损伤影响方法，具体涉及材料科学和电子技术领域，包括S1、构建微观结构模型，S2、快中子辐照模拟，S3、外加电场，S4、统计微观结构参数，S5、计算能带结构，S6、计算弹性常数和杨氏弹性模量，S7、计算光学性质。本发明可以全面研究碳基材料AB双层石墨烯在快中子辐照、外加电场、不同辐照源、温度变化和存在缺陷等情况下的辐照损伤影响，分析各种因素对AB双层石墨烯的微观结构、能带结构、杨氏弹性模量和光学性质的影响，为碳基器件的设计和优化提供理论支持，同时，也可以为辐照防护和材料性能改进提供参考依据。

公开(公告)号：CN119470493A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411360066.1

申请日：2024-09-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 莫佳龙 ,  杨冠科 ,  李小碟 ,  姚欣怡

IPC: G01N23/02 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开了不同能量快中子辐照AB双层石墨烯的微观结构影响实验方法，具体涉及材料科学与核工程领域，实验步骤如下：步骤一、确定研究目标；步骤二、选择参数和设置对照组；步骤三、样品选择与处理；步骤四、辐照控制；步骤五、观察辐照后微观结构表征；步骤六、数据统计与分析；步骤七、总结。本发明实验方法操作简单，根据实验方法能够看出，快中子辐照对AB双层石墨烯的微观结构有显著影响，包括层间距离的增大和缺陷密度的增加，这些变化与辐照的能量和剂量有关，表明辐照条件对石墨烯的微观结构改性具有可控性。

公开(公告)号：CN118692285A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410973969.0

申请日：2024-07-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐娇 ,  李小碟 ,  孙志兴

IPC: G09B23/10

Abstract: 本发明公开了一种力的合成、分解与动量实验装置，具体涉及物理实验技术领域，包括底座、四个连接架和顶框，四个连接架的顶端和底端分别与顶框以及底座固定连接，顶框的内部活动设置有测力计，测力计的顶部设置有调节组件，调节组件包括第一自锁电机、第一丝杆、滑杆、两个滑块和安装板，且安装板的底端与测力计固定连接，测力计的底端缠绕有细绳。本发明通过将钩码挂在细绳上，并确保钩码悬挂于细绳的中心位置，通过第二自锁电机工作带动细绳转动，观察不同方向的力对钩码产生的效果，通过改变悬挂点的设置，调整不同的分解角度，光电门传感器和挡光片配合使用，可以计算动量变化量，一体化结构，便于携带和移动，同时维护成本较低。