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公开(公告)号：CN119421487A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411308343.4
申请日：2024-09-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN垂直互补场效应晶体管(VCFET)及反相器，VCFET包括衬底、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极，第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底上；第一晶体管为n型晶体管，第二晶体管为p型晶体管，形成GaN缓冲层、n管GaN沟道层、AlGaN势垒层、p管GaN沟道层和p管GaN掺杂层的整体结构形式；通过公共的栅电极实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。在此结构基础上，将p型晶体管的源电极接高电平，n型晶体管的源电极接低电平，将两个晶体管的漏电极连接在一起并同时作为输出端，以栅电极作为输入端，即可实现反相器。该VCFET实现了高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789511A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411658383.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种平面栅GaN垂直互补场效应晶体管反相器，器件结构自下而上包括衬底、第一晶体管、石墨烯层和第二晶体管，第一源电极和第一漏电极沿水平方向布置在n管GaN沟道层的两端，第二源电极和第二漏电极沿水平方向布置在p管GaN沟道层的两端，在第一晶体管与第二晶体管之间的石墨烯层上布置可同时控制第一晶体管与第二晶体管的栅电极。在此结构基础上，将n型和p型晶体管的漏极用空气桥结构相连接并作为输出端，栅极作为输入端，p型晶体管的源极接高电平，n型晶体管的源极接低电平，实现反相器，其栅控能力强，漏电小，具有高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN119789472A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411647199.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种鳍式p型多沟道GaN晶体管结构及制备方法，其结构自下而上包括衬底；缓冲层，N个势垒层‑沟道层。各沟道层包括未掺杂区、掺杂区，各沟道层中临近沟道层与势垒层界面的地方，形成二维空穴气和空穴积聚区，作为GaN晶体管的多个导电沟道。对部分区域的所有势垒层和沟道层进行刻蚀，形成鳍型结构；设置介质层与栅电极包覆于鳍型结构的台面、侧边和凹槽底面，对导电沟道进行调控；设置漏电极和源电极于栅电极两侧，与导电沟道形成接触，本发明提出的器件，沟道层中未掺杂区和掺杂区的设计，有效提高了空穴的迁移率，同时抑制了寄生二维电子气的形成，多导电沟道提高了GaN晶体管的导通电流；鳍型结构增强了栅极对GaN晶体管的导电沟道的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115267712B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210764033.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合高斯环境下基于AR模型的目标检测方法及装置，通过采用复合高斯模型建模杂波数据，采用AR模型对复合高斯模型中散斑分量进行建模，使得不同参考数据单元间具有时间相关性，从而得到具有时间相关的回波信号的表达式，经过后续处理建立为包含未知参数的目标检测模型，然后对未知参数进行估计；而这个过程相比于现有技术对协方差矩阵估计而需要大量的参考单元，本发明可以大大降低参考单元需求量，无论参考单元是否充足都可以保持较高的检测率，同时相较于传统不能适用于距离扩展目标，本发明对距离扩展目标适应性更高。
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公开(公告)号：CN115267712A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210764033.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合高斯环境下基于AR模型的目标检测方法及装置，通过采用复合高斯模型建模杂波数据，采用AR模型对复合高斯模型中散斑分量进行建模，使得不同参考数据单元间具有时间相关性，从而得到具有时间相关的回波信号的表达式，经过后续处理建立为包含未知参数的目标检测模型，然后对未知参数进行估计；而这个过程相比于现有技术对协方差矩阵估计而需要大量的参考单元，本发明可以大大降低参考单元需求量，无论参考单元是否充足都可以保持较高的检测率，同时相较于传统不能适用于距离扩展目标，本发明对距离扩展目标适应性更高。
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公开(公告)号：CN117148351B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311424105.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明公开了一种基于卫星SAR图像的弹载SAR图像成像方法及装置，该方法包括以下步骤：根据目标区域的预设区域SAR图像的分辨率和目标区域的DEM高程信息确定初始三维场景模型；根据预设雷达平台参数确定初始三维场景模型的位置；旋转初始三维场景模型，得到旋转三维场景模型；在雷达平台的波束照射下对旋转三维场景模型进行校正，得到校正三维场景模型；根据校正三维场景模型进行回波仿真并进行成像，得到弹载SAR图像。本发明可以通过改变不同的轨迹参数信息，完成同一场景不同轨迹角度下的成像，可以用于弹道的模拟，通过比对成像效果寻找最优弹道，使得景象匹配导弹跟踪效果更佳。
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公开(公告)号：CN119047392A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411176646.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/34
Abstract: 本发明公开了一种基于网表多尺度三模的FPGA抗辐照加固方法及电路，主要解决现有FPGA抗辐照加固方法的电路加固对象选取不够灵活导致加固效果不佳、资源浪费，以及加固电路运行状态不能被监测导致错误累积等问题。其实现步骤是：通过在网表文件的实例资源模块以及布线资源模块对待加固电路做三模冗余操作，引入三模状态监测单元，将三模状态监测单元的输出状态引入到外部信号上。本发明实现了以网表内部资源为冗余对象，对FPGA电路进行多尺度三模冗余加固，并实现对三模加固电路的状态监测，为累计错误的纠正和定位提供了信息支持，提升了电路加固效果，为辐照条件FPGA电路的加固措施提供了新方法。
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公开(公告)号：CN117148351A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311424105.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明公开了一种基于卫星SAR图像的弹载SAR图像成像方法及装置，该方法包括以下步骤：根据目标区域的预设区域SAR图像的分辨率和目标区域的DEM高程信息确定初始三维场景模型；根据预设雷达平台参数确定初始三维场景模型的位置；旋转初始三维场景模型，得到旋转三维场景模型；在雷达平台的波束照射下对旋转三维场景模型进行校正，得到校正三维场景模型；根据校正三维场景模型进行回波仿真并进行成像，得到弹载SAR图像。本发明可以通过改变不同的轨迹参数信息，完成同一场景不同轨迹角度下的成像，可以用于弹道的模拟，通过比对成像效果寻找最优弹道，使得景象匹配导弹跟踪效果更佳。
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