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公开(公告)号：CN119392174A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411518306.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种在甲酸气氛下基于锡淀析的增材制造方法，旨在改善传统薄膜制备技术中存在的高成本、设备复杂、操作条件严格及工艺局限等问题。通过在甲酸气氛中利用锡蒸镀现象，实现特定厚度范围内的金属薄膜高效沉积，特别适用于半导体器件中锡层的制备。本方法无需昂贵的高能量源或复杂的靶材设备，操作简便、成本较低，且具备较高的工艺灵活性，能够满足多种应用场景中对金属薄膜的需求。
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公开(公告)号：CN111885817A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010897260.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种微焊点电迁移测试结构、制备夹具及制备方法，解决的是测试难度大、精度小的技术问题，通过采用重叠设置的第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板除横截面形状不同外，其余均完全相同且对称；第一PCB板与第二PCB板重叠的4个表面均相同且设置有至少两条铜布线，每条铜布线的两端各设有一个焊盘，在非焊盘的部分涂有用于阻焊的绿油层；同一平面的铜布线的走线角度不同；非接线端焊盘需形成微焊点阵列，微焊点阵列中的各个焊点均设有编号，焊点编号顺序为沿电流方向连续编号；第二PCB板设置有用于接入电源及测试电阻的接线端焊盘的技术方案，较好地解决了该问题，可用于微焊点电迁移测试中。
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公开(公告)号：CN117066619A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310977944.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K1/00 , C21D9/50 , C22F1/16 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开一种微电子用Sn58Bi钎料合金微互连焊点的时效强化工艺，采用了时效强化工艺处理手段，通过探索微互连焊点在时效温度和时间变化情况下的力学性能，归纳总结出微互连焊点时效强化的时效温度和时效时间，即微互连焊点在120℃时效300h‑480h后经自然冷却，可得到强度提升的微互连焊点。本发明实现了通过调控微互连焊点中Bi相的存在状态及形态等来提升微互连焊点的剪切强度，为提升工业钎料合金热处理和电子产品可靠性提供参考，同时为电子工业带来更大的经济效益。
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公开(公告)号：CN116564828A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310579919.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种基于低感叠层电路的高频功率芯片封装方法，属于功率半导体封装领域。本发明通过设置第一和第二绝缘层以及电气连接窗口并采用板级平面互连技术构造模块的第一、第二、第三电路层，使第一、第二与第三电路层之间实现垂直电气互连，构造叠层正负功率回路。基于平板级平面互连方法的叠层电路设计不仅可以缩短正负功率回路距离，利用磁场相消原理降低回路的寄生电感，还可有效降低叠层封装的工艺难度与成本，提高封装效率。
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公开(公告)号：CN115464300A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211067247.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了焊料用增强材料的加工方法、复合焊料及其加工方法，对Cu粉末、Sn粉末、Ni粉末物质的量比为2.5‑3.0:3.0‑3.5:1的原料进行烧结，所述烧结步骤主要作用温度为450℃‑550℃；将含有Sn粉末、Bi粉末和近非晶态增强材料粉末的原料置280‑320℃中熔化后冷却，得到复合焊料。本发明提出了一种简单、可靠、高品质的制备近非晶态多相金属间化合物(IMC)样品的方法，这种IMC微米颗粒可成为改善SnBi焊料力学性能的一种潜在的复合材料增强体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110492314A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910710142.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种插座、插头和插座的控制方法，其中，插座包括：执行组件，执行组件设置在插座的壳体内部，执行组件串联在插座的输入端的电源线路中，用于控制电源线路的通断状态；执行组件包括：开关组件，开关组件串联接入电源线路，用于根据接收到的控制指令，导通或断开电源线路；处理器组件，处理器组件连接开关组件，用于生成控制指令，以控制开关组件的通断状态；控制组件，控制组件连接处理器组件，用于生成用电请求信信息，以便于处理器组件根据用电请求信息生成控制指令。通过本发明的技术方案，实现了只有在插头插入插座时插座才供电，当插头拔出插座后插座切断供电，提高了插座安全性，减少使用过程中可能出现的安全隐患。
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公开(公告)号：CN116735653A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310394674.3
申请日：2023-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点电迁移测试系统和方法，所述包括差示扫描量热仪、计算机、直流电源、冷却组件和防氧化组件。差示扫描量热仪用于对微焊点温度场加载和调控，计算机用来记录和观察样品端和参比端的热流功率差随温度或时间的变化过程并施加控制，直流电源用于对微焊点的电场加载和调控，冷却组件用来对微焊点进行降温，防氧化组件用来保护加热体和防止微焊点氧化。所述方法包括：测试焊料的熔化温度和凝固温度；制备不同类型的微焊点；将微焊点固定在陶瓷坩埚中；将微焊点加热或降温到某一特定温度后通入直流电流、保温；完成微焊点的电迁移测试。本发明可实现对微焊点在不同电流强度和温度的电‑热耦合场作用下的电迁移实验。
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公开(公告)号：CN116606636A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310580422.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于液态金属增强传热的复合热界面材料及其制备方法，由镓基液态金属增强导热垫片以及设置在镓基液态金属增强导热垫片上下面以及四周的封装垫片组成；镓基液态金属增强导热垫片是由小粒径混合物料颗粒铺平后压制成型，再均匀填充高分子聚合物并交联固化所得；封装垫片是将高分子聚合物与导热填料搅拌均匀，得混合物料；采用成型工艺将混合物料固定在镓基液态金属增强导热垫片的上下以及四周，再将高分子聚合物交联固化所得；本发明封装垫片能够防止内部液态金属从上下方及四周渗漏，避免液态金属与散热基底的直接接触，从而消除液态金属造成短路和腐蚀问题，提高传热的可靠性。
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公开(公告)号：CN115341111A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211004376.0
申请日：2022-08-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Sn系金属间化合物及其制备方法和应用。该Ni‑Sn系金属间化合物的制备方法包括：将Ni粉和Sn粉的球磨混合粉末压制成型后，再进行真空熔炼，以获得Ni‑Sn系金属间化合物。通过将Ni粉和Sn粉进行压制，使得Ni和Sn的相对位置能够固定，进而Ni和Sn在真空熔炼时，Ni和Sn能够充分进行反应，避免了在反应过程中生成Ni‑Sn金属间化合物的阻挡层，影响Ni和Sn的继续反应。因此，将熔炼获得高纯度的Ni‑Sn金属间化合物再次球磨等方式能够破碎粉末形态的Ni‑Sn金属间化合物。该方法结合了粉粉末冶金法和机械合金化法，克服了单一方法的不足和局限性，反应完全，成分单一，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112255105A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011123233.2
申请日：2020-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点蠕变寿命测试装置及使用方法，包括支撑组件、夹紧组件和测量组件，支撑组件的底座、下支撑架和上支撑架依次连接，夹紧组件的第一夹持器和第二夹持器分别与上支撑架和下支撑架滑动连接，测量组件的挂圈安装在第二夹持器上，液体砝码通过挂绳和挂圈连接，测试系统安装在底座的一侧。通过第一夹持器和第二夹持器将试样固定，然后挂上预设重量的液体砝码，试样断裂后，液体砝码触发测试系统中的红外传感器以获得试样的蠕变寿命。本设备结构简单，并且可以对直径在0.5‑1mm之间的微焊点试样进行测试，相比于传统单轴拉伸的测试方法精度更高，从而可以降低测试成本。
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