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公开(公告)号：CN105633267B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610142086.0
申请日：2016-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种Cu2‑xS/CNT复合热电材料及其制备方法，属于热电材料领域。所述复合热电材料为铜硫化合物Cu2‑xS与碳纳米管(CNT)复合得到，铜硫化合物Cu2‑xS与CNT的摩尔比为1：(0.00265～0.2)，x的取值范围为：0≤x≤0.2。本发明Cu2‑xS/CNT复合热电材料的赛贝克系数在450K时可达到300μVK‑1以上，适用于中高温低功耗负载的温差发电器，材料的ZT值在750K时可达到0.7以上，大大超过了同等条件下的纯Cu2‑xS；且工艺简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN104148670B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410337735.3
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: B22F9/30
Abstract: 本发明提供了一种基于热分解法制备多孔铁粉的方法，属于金属粉末材料制备领域。具体包括以下步骤：a)C4H4O6KNa·4H2O与FeCl2·4H2O在水溶液中反应5～10min，过滤，滤饼先用水洗涤至中性，然后在索氏提取器中用无水乙醇洗涤1～4h；b)将步骤a)所得的滤饼在真空干燥箱中80～100℃下干燥2～4h，得到酒石酸亚铁粉末；c)将步骤b)得到的酒石酸亚铁粉末置于管式炉内，在500～900℃温度下，氢气、氮气或氩气气氛下热分解30min～2h，然后随炉降温到室温，得到所述多孔铁粉。该方法工艺简单，操作方便，反应时间短，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105633267A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610142086.0
申请日：2016-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种Cu2-xS/CNT复合热电材料及其制备方法，属于热电材料领域。所述复合热电材料为铜硫化合物Cu2-xS与碳纳米管(CNT)复合得到，铜硫化合物Cu2-xS与CNT的摩尔比为1：(0.00265～0.2)，x的取值范围为：0≤x≤0.2。本发明Cu2-xS/CNT复合热电材料的赛贝克系数在450K时可达到300μVK-1以上，适用于中高温低功耗负载的温差发电器，材料的ZT值在750K时可达到0.7以上，大大超过了同等条件下的纯Cu2-xS；且工艺简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN105424763A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510725990.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属于半导体氧化物气敏材料领域。本发明利用化学气相沉积法在SnO2纳米颗粒表面通过乙炔气体分解制备碳包覆的SnO2纳米颗粒，后经退火处理调控表面碳材料的构成和形貌，得到气敏性能显著增强的碳修饰的纳米SnO2气敏材料。本发明首次将碳修饰的纳米SnO2材料应用于气体检测方向，相对于其他提高气敏材料性能的方法，如溅射或蒸发制备金属氧化物半导体薄膜、溶胶凝胶法制备具有特殊微结构形貌的纳米颗粒、修饰掺杂贵金属Pt、Pd、Au等方法，本发明具有方法简单、成本低廉的优点，且得到的碳修饰的SnO2纳米气敏材料的气敏性能有显著的提高，在气敏材料领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103592284B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310606556.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种薄膜外延生长在线实时表征装置，利用拉曼光谱信号对MOCVD设备中薄膜外延生长过程中的纳米材料微观结构进行实时、直接表征。激发光被第一分光镜反射后，由平凸透镜聚焦，通过MOCVD反应腔顶部的观察窗口，将聚焦点照射在外延片上；聚焦点照射区域被激发的拉曼光谱信号由于是在平凸透镜的聚焦点，因此绝大部分拉曼光谱信号是被平凸透镜收集到，通过第一分光镜后，汇聚在聚焦透镜的焦点上，此时该焦点处有一个共焦针孔，起到空间滤波、抑制杂散光的作用。激发光与探测光即拉曼光谱信号的光路前端单元是共用的，能够尽可能地缩小探头体积，克服反应室观察窗口的空间限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810465A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510190458.2
申请日：2015-04-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Cu2-xS热电材料的制备方法，采用共沉淀法制备CuS粉末，在惰性气氛下对其进行加热使之分解成Cu2-xS和S，用有机溶剂(CCl4或者CS2)和无水乙醇反复洗涤加热后得到的固体粉末去除S，真空干燥后得到Cu2-xS粉末，采用加压烧结方式制作成块状的Cu2-xS热电材料。本发明使用价格低廉的Cu的可溶盐与硫离子的可溶盐为原料，生产CuS粉末，同时采用高温惰性气体下进行分解、洗涤以及烧结，得到Cu2-xS热电材料，不需要手套箱和石英封管等设备；与现有的制备方法相比，具有生产成本低，设备要求低，操作简单，安全性高，易于批量化生成等优点。同时，制备出的Cu2-xS热电材料电导率高，性能较好。
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公开(公告)号：CN105136310B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510559816.2
申请日：2015-09-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 种应用于MOCVD外延片表面温度测量的紫外测温方法,属于非接触紫外温度测量技术领域。首先,测量被测物体在选定波长下的热辐射信号强度,根据光电探测器的输出响应,调节子量程;其次,根据上步中的当前子量程,选择与光电探测器增益档位匹配的光源强度,进行反射率测量,进而得到发射率;根据上步得到的发射率对测得的热辐射信号强度进行发射率校正,得到被测物体表面的准确温度。本发明采用测量紫外波段热辐射并进行发射率修正来测量物体表面温度,得到的温度准确;采用单波长测温技术,可自动调节自身光电响应增益以及光源强度,实现大量程、高精度的温度测量。
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公开(公告)号：CN106025056A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610410062.9
申请日：2016-06-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种锡硫化合物热电材料的制备方法，采用共沉淀法制备锡硫化合物粉末，用去离子水和无水乙醇多次洗涤去除其中的杂质离子得到固体粉末，真空干燥后得到锡硫化合物粉末，在惰性气氛下对其进行加热退火，将得到的锡硫化合物粉末采用加压烧结方式制作成块状的锡硫化合物热电材料。本发明使用锡离子(Sn4+)或亚锡离子(Sn2+)的可溶盐与硫离子(S2‑)的可溶盐为原料，生产锡硫化合物粉末，然后在惰性气体下，进行高温烧结再结晶，得到锡硫化合物热电材料；与现有的制备方法相比，具有生产成本低，设备简单，安全性高，操作简便，易于批量化生成等优点，制备出的锡硫化合物热电材料热导率低，性能较好。
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公开(公告)号：CN104030341B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410257872.6
申请日：2014-06-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了氧化铜纳米材料的制备方法，属于纳米材料技术领域。包括以下步骤：a)配制浓度为0.05～4mmol/L的可溶性二价铜盐溶液，浓度为0.05～10mol/L的NaOH溶液，浓度为0.05～10mol/L的水合肼溶液；b)搅拌下，将上述NaOH溶液加入到上述可溶性二价铜盐溶液中，使可溶性二价铜盐与NaOH的摩尔比为1:1～6，然后加入上述水合肼溶液，使可溶性二价铜盐与水合肼的摩尔比为1:0.4～2，搅拌8-24h，过滤，滤饼用去离子水清洗；c)将步骤b)所得滤饼在80℃～110℃下干燥1～2h，得到所述纳米材料。该方法简单易操作，通过改变反应物物质的量可以调控产物的尺寸、形貌和维度。
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公开(公告)号：CN105136310A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510559816.2
申请日：2015-09-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种应用于MOCVD外延片表面温度测量的紫外测温方法，属于非接触紫外温度测量技术领域。首先，测量被测物体在选定波长下的热辐射信号强度，根据光电探测器的输出响应，调节子量程；其次，根据上步中的当前子量程，选择与光电探测器增益档位匹配的光源强度，进行反射率测量，进而得到发射率；根据上步得到的发射率对测得的热辐射信号强度进行发射率校正，得到被测物体表面的准确温度。本发明采用测量紫外波段热辐射并进行发射率修正来测量物体表面温度，得到的温度准确；采用单波长测温技术，可自动调节自身光电响应增益以及光源强度，实现大量程、高精度的温度测量。
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