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公开(公告)号：CN114783608B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210507317.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G16H50/30 , G16H50/50 , G06N3/0455 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及医疗信息技术领域，尤其涉及一种基于图自编码器的慢病人群疾病风险预测模型的构建方法，本发明基于患者的住院记录和历史患病信息构建了患者‑疾病二部图，然后针对患者和疾病分别提取了特征向量；最后基于图自编码器架构构建了基于图注意力机制的疾病风险预测模型来预测慢性病患者的未来疾病风险，并且本发明在疾病风险预测模型的解码器部分，使用注意力机制并同时考虑了边的权重信息，使得能够同时考虑二部图的拓扑信息和病人的个体差异，学习疾病间复杂的影响关系，进而达到提高预测效果的目的。
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公开(公告)号：CN114323396B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114783608A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210507317.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及医疗信息技术领域，尤其涉及一种基于图自编码器的慢病人群疾病风险预测模型的构建方法，本发明基于患者的住院记录和历史患病信息构建了患者‑疾病二部图，然后针对患者和疾病分别提取了特征向量；最后基于图自编码器架构构建了基于图注意力机制的疾病风险预测模型来预测慢性病患者的未来疾病风险，并且本发明在疾病风险预测模型的解码器部分，使用注意力机制并同时考虑了边的权重信息，使得能够同时考虑二部图的拓扑信息和病人的个体差异，学习疾病间复杂的影响关系，进而达到提高预测效果的目的。
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公开(公告)号：CN114323396A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114323395A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114279613A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111592764.0
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由载荷传递层、绝缘层、梳齿电容层和玻璃层由上向下组合而成，层间通过硅‑玻阳极键合和硅‑硅键合连接为一个整体；载荷传递层包括载荷传递层固定区和通过T型梁连接的载荷传递层中心刚体；绝缘层包括绝缘层固定区和其内部的可移动区；梳齿电容层包括梳齿动极板电极、梳齿电容、梳齿电容层中心刚体、梳齿定极板电极、Z型导电支撑梁和隔离沟道；玻璃层包括玻璃腔体、以及制备在玻璃腔体上的平板电容极板、内部电极焊盘、金属引线和外部焊盘；本发明芯片在工作时，能够检测六个方向上的力和力矩，具有量程大、灵敏度高、交叉轴灵敏度小和体积小等特点。
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公开(公告)号：CN110493562A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910644292.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州蓝科光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够自动转换色彩的监控设备，属于色彩监控设备领域。一种能够自动转换色彩的监控设备，在实际的作业过程中，为了能够实现全天候的实时色彩自动转换，除了需要设置有特定的系统对采集的图片进行有效的分析和处理，也需要提高该装置夜间或者暗光情况下的色彩采集能效，传统的监控摄像机，由于夜间照明不足，存在亮度偏低、图像质量下降和细节不见的情况，实现画质的提升是迫切的需求，本装置通过采用MemrecamHX-s型号感光器件，大大提升了装置的感光能效，并且通过在夜间时，自动调整聚光机构与感光器件之间的距离，从而达到更强的聚光能力，大大提高了装置夜间色彩信息采集的能力。
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公开(公告)号：CN105136310B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510559816.2
申请日：2015-09-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 种应用于MOCVD外延片表面温度测量的紫外测温方法,属于非接触紫外温度测量技术领域。首先,测量被测物体在选定波长下的热辐射信号强度,根据光电探测器的输出响应,调节子量程;其次,根据上步中的当前子量程,选择与光电探测器增益档位匹配的光源强度,进行反射率测量,进而得到发射率;根据上步得到的发射率对测得的热辐射信号强度进行发射率校正,得到被测物体表面的准确温度。本发明采用测量紫外波段热辐射并进行发射率修正来测量物体表面温度,得到的温度准确;采用单波长测温技术,可自动调节自身光电响应增益以及光源强度,实现大量程、高精度的温度测量。
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公开(公告)号：CN105758523B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610181821.9
申请日：2016-03-25
Applicant: 浙江大学 , 杭州蓝科光电科技有限公司 , 杭州电子科技大学 , 铭典时代(北京)科技有限公司
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于轮转式的高速光谱通道切换的高光谱成像装置，包括高速分光装置、成像单元、直角反射镜头、计算机、信号采集与处理模块等；所述高速分光装置位于成像单元与直角反射镜头之间，对通过直角反射镜头进入的光线进行处理，获得相应的单色光，并依次聚焦到所述成像单元上，得一系列光谱图像；所述高速分光装置和成像单元均通过信号采集与处理模块相连与计算机相连。本发明在极大提高光谱通道切换速度，实现光谱高速扫描的同时，把整个系统的动量扰动，抖动和功率消耗等降到最低，其可靠性得到显著提高。且这个角速度可以任意调高，使得每一个滤光片在允许曝光的情况下获得多个序列，改善系统同步性并提高图像信噪比。
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公开(公告)号：CN105785387B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610254708.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 浙江大学 , 杭州电子科技大学 , 南京邮电大学 , 杭州蓝科光电科技有限公司 , 铭典时代(北京)科技有限公司
IPC: G01S17/48
Abstract: 本发明公开了一种可在不同水体中自动校准的水下激光测距仪及其测距方法，本发明包括水下密封舱、激光测距模块、水体散射浊度传感器、光学窗口、输出接口、电源、控制模块、数据采集模块、数据处理模块、数据存储模块和显示模块；本发明激光测距仪中激光测距模块的测距读数与水下目标实际距离之间通过线性拟合的方法建立联系，根据水体散射浊度传感器在不同水体中的浊度测量结果计算出当前水体的测距矫正系数，进而实现水下距离的高精度测量。本激光测距仪可用于不同浊度的水体的水下激光测距，有精度较高且可以实时自动校准的优点。
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