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公开(公告)号：CN103289113B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310234935.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机复合介电薄膜的方法，包括：将聚偏氟乙烯和聚噻吩均匀混合，获得混合材料粉末；将混合材料粉末溶于有机溶剂中，获得有机混合溶液；将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；加热该有机混合溶液使有机溶剂挥发，获得聚噻吩-聚偏氟乙烯有机复合介电薄膜。本发明的实施例的方法制备的有机复合介电薄膜既具有较高的介电常数，又是柔性薄膜，具有良好加工性能，同时本发明的实施例提供的方法操作简便，成本低廉，适用于薄膜电容器的生产。
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公开(公告)号：CN104878358B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510323617.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/083 , C01G31/02 , C23C14/0036 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/58 , C23C14/5853 , H01B1/02
Abstract: 一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备，包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层，掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素，钇的原子百分比为1％‑8％，钒的原子百分比为20‑40％，其余为氧元素。本发明的制备方法是采用低浓度钇钒合金靶反应溅射或采用高浓度钇钒合金靶和纯金属钒靶双靶共反应溅射的方法制备氧化钒热敏薄膜材料。本发明制备的产品电阻温度系数高、噪声系数小，可提高非制冷焦平面阵列器件的灵敏度；且其方阻稳定性高，可与器件微机电系统工艺兼容；此外产品中掺钇氧化钒薄膜为非晶结构，其电阻温度特性无相变特征，可以避免热滞噪声问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560083B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310573377.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/321 , G03F7/00 , G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。本发明的方法不受光刻胶限制，可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时，该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻，从而可以保证图形边缘的整齐。此外，该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。
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公开(公告)号：CN103560083A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310573377.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/321 , G03F7/00 , G03F7/42
CPC classification number: H01L31/022408 , G03F7/0035 , G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。本发明的方法不受光刻胶限制，可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时，该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻，从而可以保证图形边缘的整齐。此外，该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。
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公开(公告)号：CN103325574A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310279484.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造全钽电解电容器阴极的方法，包括：喷砂打磨全钽电解电容器的钽外壳的内表面；将氧化石墨烯加入分散溶剂中分散，获得氧化石墨烯分散液；将氧化石墨烯分散液加入钽外壳中，使其中的氧化石墨烯分散于内表面上；对分散于内表面上的氧化石墨烯进行还原处理；用电化学方法在内表面上形成氧化钌层。本发明的实施例中的方法中，通过石墨烯和氧化钌的复合，不仅可以极大的增加全钽电容器的阴极面积，增大钽电容器的有效面积，还在钽外壳上引入了赝电容，均可提高电容器的容量。
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公开(公告)号：CN103289113A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310234935.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机复合介电薄膜的方法，包括：将聚偏氟乙烯和聚噻吩均匀混合，获得混合材料粉末；将混合材料粉末溶于有机溶剂中，获得有机混合溶液；将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；加热该有机混合溶液使有机溶剂挥发，获得聚噻吩-聚偏氟乙烯有机复合介电薄膜。本发明的实施例的方法制备的有机复合介电薄膜既具有较高的介电常数，又是柔性薄膜，具有良好加工性能，同时本发明的实施例提供的方法操作简便，成本低廉，适用于薄膜电容器的生产。
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公开(公告)号：CN104878358A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510323617.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/083 , C01G31/02 , C23C14/0036 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/58 , C23C14/5853 , H01B1/02
Abstract: 一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备，包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层，掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素，钇的原子百分比为1％-8％，钒的原子百分比为20-40％，其余为氧元素。本发明的制备方法是采用低浓度钇钒合金靶反应溅射或采用高浓度钇钒合金靶和纯金属钒靶双靶共反应溅射的方法制备氧化钒热敏薄膜材料。本发明制备的产品电阻温度系数高、噪声系数小，可提高非制冷焦平面阵列器件的灵敏度；且其方阻稳定性高，可与器件微机电系统工艺兼容；此外产品中掺钇氧化钒薄膜为非晶结构，其电阻温度特性无相变特征，可以避免热滞噪声问题。
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