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公开(公告)号：CN107466423A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , H01L21/68735
Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107466423B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC: H01L21/683
Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡盘。静电卡盘包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡盘提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡盘的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡盘的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN101743620B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200880024369.9
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·D·斯罗森 , 杰弗里·A·柏吉斯
IPC: H01L21/265 , H01L21/00 , H01J37/18
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/166 , H01J2237/31701 , Y10S277/913
Abstract: 一种密封系统，包括第一真空腔室和第二真空腔室。密封系统包括具有远端和近端的第一密封单元，第一密封单元的近端配置于第一真空腔室上。密封系统还包括具有远端和近端的第二密封单元，第二密封单元的远端配置于第一密封单元的远端上，并且第二密封单元的近端配置于第二真空腔室上。密封单元中的一个为凹形的，另一个为凸形的。密封系统还包括第一O形圈、第二O形圈和第三O形圈。
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公开(公告)号：CN101743620A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024369.9
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·D·斯罗森 , 杰弗里·A·柏吉斯
IPC: H01L21/265 , H01L21/00 , H01J37/18
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/166 , H01J2237/31701 , Y10S277/913
Abstract: 一种密封系统，包括第一真空腔室和第二真空腔室。密封系统包括具有远端和近端的第一密封单元，第一密封单元的近端配置于第一真空腔室上。密封系统还包括具有远端和近端的第二密封单元，第二密封单元的远端配置于第一密封单元的远端上，并且第二密封单元的近端配置于第二真空腔室上。密封单元中的一个为凹形的，另一个为凸形的。密封系统还包括第一O型圈、第二O型圈和第三O型圈。
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公开(公告)号：CN103025926B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及使用气体喷嘴从熔化物表面移离板材。在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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