公开(公告)号：CN101271880B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810081263.4

申请日：2008-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 押田大介 ,  竹胁利至 ,  大沼卓司 ,  大音光市

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘膜；掩埋在所述绝缘膜中的铜互连，具有多个在其表面上形成的凸起物；在所述绝缘膜和铜互连上形成的第一绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层上形成的第二绝缘夹层；以及在所述第二绝缘夹层上形成的导电层，其中所有凸起物中最高的至少一个凸起物的顶表面与所述第二绝缘夹层的下表面接触。

公开(公告)号：CN102446899A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110300927.3

申请日：2011-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 大沼卓司 ,  日高宪一 ,  高冈洋道 ,  窪田吉孝 ,  津田浩嗣 ,  石毛清一

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。具体地，提供一种即使利用确定在电极上是否存在电荷积聚的方法也不能分析内部写入信息的反熔丝。该反熔丝包括栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层。第二扩散层通过器件隔离膜与第一扩散层隔离，并且与第一扩散层的导电类型相同。栅极布线形成为与栅电极成为一体，并且在器件隔离膜上延伸。公共接触将栅极布线耦合到第二扩散层。栅电极由掺杂有与第一扩散层导电类型相同的杂质的诸如多晶硅的半导体材料构成。第二扩散层仅耦合到公共接触。