公开(公告)号：CN104900700A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510095254.0

申请日：2015-03-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 片冈肇 ,  城本龙也 ,  新田哲也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/761 ,  H01L21/764 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发提供一种半导体器件，即一种改善性能的半导体器件。半导体衬底的表面层部分中具有彼此分离的用于源极的n+型半导体区以及用于漏极的n+型半导体区。半导体衬底的在用于源极的n+型半导体区以及用于漏极的n+型半导体区之间的主表面上具有经由作为栅绝缘膜的栅电极。半导体衬底的栅电极下方的沟道形成区以及用于漏极的n+型半导体区之间的主表面中具有LOCOS氧化膜以及STI绝缘膜。在LOCOS氧化膜和STI绝缘膜中，LOCOS氧化膜位于沟道形成区侧且STI绝缘膜位于用于漏极的n+型半导体区侧。

公开(公告)号：CN102157431A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110025275.7

申请日：2011-01-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森井胜巳 ,  大津良孝 ,  大西一真 ,  新田哲也 ,  城本龙也 ,  德光成太

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76283 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823878 ,  H01L22/34 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以使用简单工艺制造而无需确保高掩埋性质。在根据本发明的半导体器件的制造方法中，首先制备具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置的半导体衬底。然后，在半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件。形成在平面图中包围元件并且从半导体层的主表面到达埋置绝缘膜的沟槽。在元件之上以及在沟槽中形成第一绝缘膜(层间绝缘膜)，以相应地覆盖元件并在沟槽中形成气隙。然后，在第一绝缘膜中形成到达元件的导电部分的接触孔。

公开(公告)号：CN102157431B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110025275.7

申请日：2011-01-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森井胜巳 ,  大津良孝 ,  大西一真 ,  新田哲也 ,  城本龙也 ,  德光成太

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76283 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823878 ,  H01L22/34 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以使用简单工艺制造而无需确保高掩埋性质。在根据本发明的半导体器件的制造方法中，首先制备具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置的半导体衬底。然后，在半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件。形成在平面图中包围元件并且从半导体层的主表面到达埋置绝缘膜的沟槽。在元件之上以及在沟槽中形成第一绝缘膜(层间绝缘膜)，以相应地覆盖元件并在沟槽中形成气隙。然后，在第一绝缘膜中形成到达元件的导电部分的接触孔。