公开(公告)号：CN119361587A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411335109.0

申请日：2024-09-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王令 ,  吴灵美 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、电器及智能功率模块的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括芯片组、第一覆铜陶瓷基板以及第一烧结层，其中，所述芯片组包括至少一个功率芯片，所述第一覆铜陶瓷基板对应于所述功率芯片的电极区域设置有铜柱，所述第一烧结层设置于所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板上，且所述铜柱内嵌于所述第一烧结层中，所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板，通过所述第一烧结层形成电性连接。由此，消除了功率芯片与第一覆铜陶瓷基板之间的键合线，避免键合线由于热应力或外部振动导致断裂或脱键引起的电性连接失效问题，并大大提高了所述智能功率模块的电气稳定性。

公开(公告)号：CN116313861A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310203219.0

申请日：2023-03-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴灵美 ,  王令 ,  吴昊霖 ,  符广学 ,  刘磊仁 ,  勾涵

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。

公开(公告)号：CN117936397A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311832238.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴灵美 ,  王令 ,  吴昊霖 ,  符广学 ,  刘磊仁 ,  勾涵

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。