一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组

    公开(公告)号:CN117936397A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311832238.6

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组,该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层;第一金属层为高熔点金属,第二金属层为低熔点金属,第一金属层的层数比第二金属层的层数多一;在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏,纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同;第二区域位于第一区域的外围;将芯片覆盖于连接层上,得到待烧结的组件;采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结,在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结,从而实现芯片与衬底的连接。

    一种智能功率模块、芯片
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119894074A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411827473.9

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块、芯片,本发明通过将绝缘栅双极型晶体管器件配套芯片以及快速恢复二极管器件用的芯片进行复合封装,既保证原先功能及定义,还能最大程度地降低器件/模块的体积;采用新布局的模块不仅实现了集成化、小型化;将模块更多地集成化不仅可以降低封装的繁多的工序,而且较大程度地降低生产成本,同时加快应用场合的快速安装和使用;通过将绝缘栅双极型晶体管器件的驱动芯片直接封装入新布局中,极大地减少相互之间的距离,降低电路在外界的干扰性,提高信号传递的准确性,通过将多个绝缘双极型晶体管和多个快速恢复二极管同时封装到基板中,可以实现多种功能,满足用户的多种功能需求。

    一种芯片和基板的连接方法及芯片结构

    公开(公告)号:CN116313861A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310203219.0

    申请日:2023-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构,连接方法包括如下步骤:S1、提供基板和芯片;S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层;所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒;S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触,再进行烧结处理,以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏,仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒,即可实现烧结,能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程,加快烧结过程,节省50%以上的时间。

    智能功率模块试验系统和方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117630618A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311416648.2

    申请日:2023-10-27

    Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块试验系统和方法,包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元,所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位,所述封装模块用于封装所述智能功率模块,所述封装模块包括若干引脚,所述封装模块安装在所述插座工位中,所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地,其中,在对所述封装模块进行试验时,所述电流表采集的所述封装模块的电流数据传输至所述监控单元,所述监控单元根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控。本发明实施例可以在对智能功率模块进行试验的过程中,对试验过程中的电流数据进行监控。

    一种焊接方法、装置、电子设备及智能功率模块

    公开(公告)号:CN117253803A

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202311143085.4

    申请日:2023-09-05

    Abstract: 本申请公开了一种焊接方法、装置、电子设备及智能功率模块。所述方法包括:确定待焊接芯片对应的焊料总用量和待焊接芯片在基板上的贴片位置;按照预设规则和焊料总用量,确定焊层的数量和各个焊层对应的焊料用量;将第i个焊层对应的焊料加热压制到所述贴片位置,待焊料降温固化后,得到第i个焊层,再将i+1个焊层对应的焊料加热压制到贴片位置,直至得到第N‑1个焊层;将第N个焊层对应的焊料加热压制到所述贴片位置,并将待焊接芯片贴片至第N个焊层对应的焊料的上表面;按照预设固化规则对第N个焊层对应的焊料进行降温固化,得到焊接有待焊接芯片的基板。本发明实施例可以降低焊层内产生空洞的概率,提高智能功率模块的可靠性。

    SDIP23模块
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220383279U

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202223429631.4

    申请日:2022-12-16

    Abstract: 本申请提供SDIP23模块,SDIP23模块的U相引脚从第一颗芯片引出、V相引脚从第二颗芯片引出、W相引脚从第三颗芯片引出。本申请的SDIP23模块,三相通过把它们集中在第一、第二及第三颗芯片,这样确实减少相互之间的距离,而M(三相电动机)的接口正是U、V及W三相,因此使得模块所配备的三相电机布线在U、V及W相跨度较小,从而大大降低外围电路的复杂性,更有利于实际的使用安装,交线布局的复杂降低也有利于线路板面积的减少,让应用电路承载更多的功能,最后也将使用成本大大降低,取得良好的经济效益。

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