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公开(公告)号：CN101897029B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200880120050.6
申请日：2008-11-26
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/768 , H01L21/336 , H01L29/00
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/42364 , H01L29/517 , H01L29/7781
Abstract: 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。
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公开(公告)号：CN103918069A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280049496.0
申请日：2012-10-05
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L21/8236 , H01L25/00 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H03K17/102 , H03K2017/6875 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN104576742A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410772862.6
申请日：2010-08-20
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/30612 , H01L21/31105 , H01L21/765 , H01L29/0607 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及III-N器件及其形成方法。描述了一种III-N器件，其具有III-N材料层，位于III-N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III-N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III-N材料层之间。
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公开(公告)号：CN102017160B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980114639.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/0217 , H01L21/0254 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/365 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/7788
Abstract: 本发明提供了一种III-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。
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公开(公告)号：CN102754206B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180009225.8
申请日：2011-02-02
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017160A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114639.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/0217 , H01L21/0254 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/365 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/7788
Abstract: 本发明提供了一种Ⅲ-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。
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公开(公告)号：CN103918069B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280049496.0
申请日：2012-10-05
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L21/8236 , H01L25/00 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H03K17/102 , H03K2017/6875 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN102754206A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009225.8
申请日：2011-02-02
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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公开(公告)号：CN101897029A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120050.6
申请日：2008-11-26
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/768 , H01L21/336 , H01L29/00
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/42364 , H01L29/517 , H01L29/7781
Abstract: 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。
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公开(公告)号：CN104576742B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410772862.6
申请日：2010-08-20
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/283 , H01L21/28587 , H01L21/30612 , H01L21/31105 , H01L21/765 , H01L29/0607 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及III‑N器件及其形成方法。描述了一种III‑N器件，其具有III‑N材料层，位于III‑N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III‑N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III‑N材料层之间。
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